2 polegadas 4H-P SIC Wafer de carburo de silício para fotovoltaicos espessura 350μm Diâmetro 50,8mm Grau zero
O carburo de silício 4H-P (SiC) é um material semicondutor importante comumente usado em dispositivos eletrônicos de alta temperatura, alta frequência e alta potência.4H-SiC é um tipo de sua estrutura cristalina que tem uma estrutura de rede hexagonalA largura de banda (aproximadamente 3,26 eV) permite-lhe operar em ambientes de alta temperatura e alta tensão.pode conduzir e dissipar o calor de forma eficazA alta condutividade térmica (cerca de 4,9 W/m·K), superior ao silício, pode conduzir e dissipar o calor de forma eficaz.O carburo de silício dopado de tipo P tem uma baixa resistividade e é adequado para a construção de junções PNCom o desenvolvimento dos veículos eléctricos e das tecnologias de energia renovável, a procura de carburo de silício tipo 4H-P deverá continuar a crescer.impulsionar a investigação relacionada e os avanços tecnológicos.
Características:
· Tipo: o cristal 4H-SiC tem uma estrutura de rede hexagonal e apresenta excelentes características elétricas.
· Largo intervalo de banda: aproximadamente 3,26 eV para aplicações de alta temperatura e alta frequência.
· Dopagem do tipo P: a condutividade do tipo P é obtida por elementos dopantes como o alumínio, aumentando a concentração do condutor dos poros.
· Resistividade: baixa resistência, adequada para dispositivos de alta potência.
· Alta condutividade térmica: aprox. 4,9 W/m·K, dissipador de calor eficaz, adequado para aplicações de alta densidade de potência.
· Resistência a altas temperaturas: pode funcionar de forma estável em ambientes de alta temperatura.
· Alta dureza: resistência mecânica muito elevada e resistência a condições adversas.
· Alta tensão de ruptura: capaz de suportar tensões mais elevadas e reduzir o tamanho do dispositivo.
· Baixa perda de comutação: boas características de comutação em operações de alta frequência para melhorar a eficiência.
· Resistência à corrosão: boa resistência à corrosão a uma ampla gama de produtos químicos.
· Ampla gama de aplicações: adequado para veículos elétricos, inversores, amplificadores de alta potência e outros campos.
Parâmetros técnicos:
Aplicações:
1Eletrónica de potência
Conversores de potência: para adaptadores de potência e inversores eficientes, de menor dimensão e de maior eficiência energética.
Veículos elétricos: Otimizar a eficiência de conversão de energia nos módulos de accionamento e nas estações de carregamento de veículos elétricos.
2. Dispositivos de RF
Amplificadores de microondas: Usados em sistemas de comunicação e radar para fornecer desempenho confiável de alta frequência.
Comunicações por satélite: amplificador de alta potência para satélites de comunicação.
3Aplicações a altas temperaturas
Sensor: Sensor utilizado em ambientes de temperaturas extremas, capaz de funcionar de forma estável.
Equipamento industrial: equipamento e instrumentos adaptados a condições de alta temperatura.
4. Optoelectrónica
Tecnologia LED: Utilizada para melhorar a eficiência luminosa em LEDs específicos de comprimento de onda curto.
Laser: Aplicações eficientes de laser.
5Sistema de energia.
Rede inteligente: Melhorar a eficiência energética e a estabilidade na transmissão e gestão da rede de corrente contínua de alta tensão (HVDC).
6. Eletrónica de Consumo
Dispositivo de carregamento rápido: Carregador portátil para dispositivos eletrônicos que melhora a eficiência de carregamento.
7Energia renovável
Inverter solar: alcançar uma maior eficiência de conversão de energia nos sistemas fotovoltaicos.
Personalização:
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 4H-P e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é de 10pc e o preço é por caso. Os detalhes da embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2 polegadas.
Os nossos serviços:
1- Fabricação e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
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5Rapidez e entrega preciosa.
