Substrato de carburo de silício de 2 polegadas Sic Tipo 3C-N Diâmetro 50,8 mm Grau de produção Grau de pesquisa Grau de simulação
3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas, especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente obtida através da introdução de elementos como o nitrogénio (N) e o fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distância é de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de dissipação de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência mecânica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.
Características:
· Larga distância de banda: distância de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicações de alta temperatura e alta tensão.
· Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do dispositivo.
· Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade térmica e melhora eficazmente o desempenho de dissipação de calor, adequado para aplicações de alta potência.
· Boa resistência mecânica: possui elevada resistência e resistência à compressão e é adequado para utilização em ambientes adversos.
· Resistência química: boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos, aumentando a estabilidade do material.
· Características eléctricas ajustáveis: Ao ajustar a concentração de dopagem, podem ser obtidas diferentes propriedades eléctricas para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.
Parâmetros técnicos:
Aplicações:
1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em veículos eléctricos e sistemas de energia renovável.
2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicação e radar.
3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construção para LEDs e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.
4Sensores: aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho fiável.
5. Carregamento sem fio e gestão da bateria: Usado em sistemas de carregamento sem fio e dispositivos de gestão da bateria para melhorar a eficiência e o desempenho.
6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas industriais de automação e controlo para melhorar a eficiência energética e a estabilidade do sistema.
Personalização:
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de abastecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 2 polegadas.
Os nossos serviços:
1- Fabricação e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.
4. ODM: O design personalizado é disponível.
5Rapidez e entrega preciosa.
