Sic 3C-N Tipo Dimensão Mecânica Tipo condutor para sistemas de radar Grau de produção MPD zero
3C-SiC (Carburo de Silício cúbico) é um material semicondutor de banda larga com boas propriedades elétricas e térmicas, especialmente adequado para alta frequência,aplicações de alta potência e dispositivos eletrónicosA dopagem do tipo N é geralmente obtida através da introdução de elementos como o nitrogénio (N) e o fósforo (P), o que torna o material electronegativo e adequado para uma variedade de projetos de dispositivos eletrônicos.A distância é de aproximadamente 3A dopagem do tipo N ainda mantém uma alta mobilidade eletrônica, o que melhora o desempenho do dispositivo.A excelente condutividade térmica ajuda a melhorar a capacidade de dissipação de calor dos dispositivos de energiaA sua resistência mecânica é boa e é adequada para uso em ambientes adversos. Tem boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos e é adequado para aplicações industriais.é utilizado em conversores de potência e motores de alta eficiência, adequado para veículos elétricos e sistemas de energia renovável.
Características:
- Ampla distância de banda: distância de banda de aproximadamente 3,0 eV para aplicações de alta temperatura e alta tensão.
- Alta mobilidade dos elétrons: o doping do tipo N proporciona uma boa mobilidade dos elétrons e melhora o desempenho geral do dispositivo.
- Excelente condutividade térmica: possui excelente condutividade térmica e melhora efetivamente o desempenho de dissipação de calor, adequado para aplicações de alta potência.
- Boa resistência mecânica: Tem alta dureza e resistência à compressão e é adequado para uso em ambientes adversos.
- Resistência química: Boa resistência a uma ampla gama de produtos químicos, aumentando a estabilidade do material.
- Características elétricas ajustáveis: Ao ajustar a concentração de dopagem, podem ser alcançadas diferentes propriedades elétricas para satisfazer as necessidades de uma variedade de aplicações.
Parâmetro técnico
|
Propriedade
|
Não...Tipo3C-SiC, Cristal único |
| Parâmetros da malha |
a=4,349 Å |
| Sequência de empilhamento |
ABC |
| Dureza de Mohs |
≈9.2 |
| Densidade |
20,36 g/cm3 |
| Coeficiente de expansão térmica |
3.8×10-6/K |
| Índice de refração @750nm |
n=2.615
|
| Constante dielétrica |
c~9.66 |
|
Conductividade térmica
|
3 a 5 W/cm·K@298K
|
| Falta de frequência |
2.36 eV |
| Campo elétrico de ruptura |
2-5×106V/cm |
|
Velocidade da deriva de saturação
|
2.7×107m/s |
※ Carburo de silício material Propriedades é apenas para referência.
Aplicações:
1- Eletrónica de potência: para conversores de potência, inversores e accionadores de elevada eficiência, amplamente utilizados em veículos eléctricos e sistemas de energia renovável.
2Equipamento de RF e Microondas: amplificadores de RF, equipamento de microondas, especialmente adequados para sistemas de comunicação e radar.
3Optoelectronics: Pode ser usado como bloco de construção para LEDs e detectores de luz, especialmente em aplicações azuis e ultravioleta.
4Sensores: aplicados a uma ampla gama de sensores em ambientes de alta temperatura e alta potência, proporcionando um desempenho fiável.
5. Carregamento sem fio e gestão da bateria: Usado em sistemas de carregamento sem fio e dispositivos de gestão da bateria para melhorar a eficiência e o desempenho.
6Equipamento eléctrico industrial: Utilizado em sistemas industriais de automação e controlo para melhorar a eficiência energética e a estabilidade do sistema.
Personalização:
O nosso substrato SiC está disponível no tipo 3C-N e é certificado RoHS. A quantidade mínima de encomenda é 10pc e o preço é por caso. Os detalhes de embalagem são caixas de plástico personalizadas.O tempo de entrega é dentro de 30 dias e aceitamos termos de pagamento T / TA nossa capacidade de fornecimento é de 1000pcs/mês. O tamanho do substrato de SiC é de 6 polegadas.
Os nossos serviços:
1- Fabricação e venda diretas.
2Citações rápidas e precisas.
3Responder-lhe-emos no prazo de 24 horas úteis.
4. ODM: O design personalizado é disponível.
5Rapidez e entrega preciosa.
