XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
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6 Anos
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N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3", categoria principal, Epi-pronta

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
Cidade:xiamen
Província / Estado:fujian
País / Região:china
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N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3", categoria principal, Epi-pronta

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Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1-10,000pcs
Termos do pagamento :T/T.
Capacidade da fonte :10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega :5-50 dias de trabalho
Nome do produto :Bolacha da carcaça de GaSb
Tipo da condução :Tipo de N
Entorpecente :telúrio
Grau :Categoria principal
O outro nome :bolacha do antimonieto de gálio
Diâmetro da bolacha :3 polegadas
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N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3", categoria principal, Epi-pronta
 
PAM-XIAMEN oferece a bolacha de GaSb – antimonieto de gálio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou undoped na orientação diferente (111) ou (100). O antimonieto de gálio (GaSb) é um composto cristalino feito do gálio (Ga) dos elementos e do antimônio (Sb).
 
3" especificação da bolacha de GaSb

ArtigoEspecificações
Tipo da conduçãoN-tipo
EntorpecenteTelúrio
Diâmetro da bolacha3"
Orientação da bolacha(100) ±0.5°
Espessura da bolacha600±25um
Comprimento liso preliminar22±2mm
Comprimento liso secundário11±1mm
Concentração de portador(1-20) x1017cm-3
Mobilidade2000-3500cm2/V.s
EPD<2x10>3cm-2
TTV<12um>
CURVA<12um>
URDIDURA<15um>
Marcação do lasermediante solicitação
Revestimento de SufaceP/E, P/P
Epi prontosim
PacoteÚnica recipiente ou gaveta da bolacha

Propriedades elétricas da bolacha de GaSb

A concentração de estrutura e de portador de faixa de bolacha de GaSb inclui parâmetros básicos, mobilidade e de efeito hall, propriedades de transporte em campos bondes altos
, Ionização de impacto, parâmetros da recombinação
 
Parâmetros básicos

Campo da divisão≈5·104
Elétrons da mobilidade≤ 3000 cm2 de V-1 s-1
Furos da mobilidade≤ 1000 cm2 de V-1 s-1
Elétrons do coeficiente de difusão≤ 75 cm2/s
Furos do coeficiente de difusão≤ 25 cm2/s
Velocidade do thermal do elétron5,8·105 m/s
Velocidade do thermal do furo2,1·105 m/s

Mobilidade e Hall Effect

N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3A mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a lubrificação diferente nivela.
1. Nd= 1,7·1018 cm-3
2. Nd= 2,8·1017 cm-3
As curvas quebradas representam os dados experimentais. As curvas contínuas representam cálculos teóricos.
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Mobilidade de salão do elétron contra a concentração não T=77 K. do elétron.
Os círculos abertos representam medidas com um grupo de amostras que têm aproximadamente o mesmo Na residual das concentrações de aceitante. Símbolos completos: espécimes com mais baixas concentrações de aceitante residuais. As linhas contínuas representam os cálculos teóricos para valores diferentes de densidades de compesação do aceitante - unicamente (Na) ou duplamente (Na--) ionizado.
1. Na = 1,2·1017 ou Na-- = 0,4·1017 cm-3
2. Na =2.85·1017 ou Na-- =0.95·1017 cm-3
3. Na = 4,5·1017 ou Na-- = 1,5·1017 cm-3
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Fure a mobilidade de salão contra a temperatura a níveis diferentes da compensação.
1. Na= 1,39·1017 cm-3; Nd= 9·1015 cm-3;
2. Na= 1,3·1017 cm-3; Nd= 9,5·1016 cm-3;
3. Na= 1,1·1017cm-3; Nd= 9,5·1016 cm-3
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Dependência da temperatura da mobilidade de salão do furo.
Técnica do MBE. Concentração de furo em 300 K:
1. - 2,28·1016 cm-3;
2. - 1,9·1019 cm-3.
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3A mobilidade de salão do furo contra a concentração de furo, 300 K.
Os dados experimentais são tomados de cinco papéis diferentes

Propriedades de transporte em campos bondes altos

N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Dependência da velocidade de tração do elétron, 300 K. do campo calculado.
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Dependências experimentais calculadas contra o campo bonde, 300 K. da densidade atual do fim (do sólido) (pontos).
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Fração dos elétrons em Γ, L, vales em função do campo bonde, 300 K de X
n=6.8·1016 cm-3
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Temperatura em função do campo bonde, T=77 K. do elétron.
completamente e círculo aberto - dados experimentais
a curva é calculada

Ionização de impacto

N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3As dependências do αi e do βi> contra 1/F.T=77 K
Abra símbolos: F (111).
Símbolos enchidos: F (100).
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3As dependências do αi e do βi contra 1/F). T=300 K
F (100).
 

Parâmetros da recombinação

N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Vida Radiative contra a concentração fornecedora, T =77 K, GaSb (Te).
Para extrair estas dependências dos dados experimentais os valores do η interno da eficiência de quantum foram tomados:
abra os círculos η=0.8;
círculos enchidos η=1;
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Vida Nonradiative contra as concentrações fornecedoras, T =77K, GaSb (Te).
abra o η= 0,8 dos círculos;
η= enchido 1 dos círculos; (Agaev e outros [1984]).
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Vida radiative (triângulos) e nonradiative do elétron (dos quadrados) contra a concentração de aceitante, p-GaSb, T=77 K.
 
N datilografa, a carcaça da bolacha de cristal de GaSb, 3Vida do elétron contra a temperatura em concentrações de aceitante diferentes.
Na (cm-3): 1. 5·1018; 2. 2,2·1019; 3. 3,5·1019.
 

 

Coeficiente Radiative da recombinação~10-10 cm3 s-1
Coeficiente do eixo helicoidal 
77K2·10-29 cm6s-1
300 K5·10-30 cm6s-1

 
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