Shenzhen Hicorpwell Technology Co., Ltd
A qualidade é não somente um ato, ele é um hábito.
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fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena com tipo do SC da microplaqueta do detector de InGaAs
O fotodiodo de InGaAs da área 1100nm-1650nm pequena usa uma microplaqueta do detector de InGaAs, e caracteriza um consumo da baixa potência,
sensibilidade atual, alta escura pequena, grandes linearidades, design compacto e volume pequeno.
O equipamento é o mais de uso geral em receptores de CATV, em equipamento da detecção do poder e em receptores do sinal ótico para sistemas análogos.
Avaliações máximas absolutas
| Parâmetro | Símbolo | Avaliações | Unidade |
| Temperatura de armazenamento | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| Temperatura de funcionamento | Parte superior | -40 〜 +85 | °C |
| Max Input Power | Pmax | +4 | dBm |
| Tensão de funcionamento | Vop | 5 | V |
| Tensão reversa do paládio | VR (PALÁDIO) | 25 | V |
| Temp de solda | - | 260 | °c |
| Tempo de solda | - | 10 | s |
Características óticas & elétricas
| Parâmetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidade | Condição de teste |
| Escala de comprimento de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nanômetro | - |
| Escala de poder | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| Diâmetro ativo | Anúncio | 75 | um | - | ||
| Corrente escura | Identificação | - | 0,2 | 0,5 | nA | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 nanômetro |
| 0,90 | 0,95 | 入 =1550 nanômetro | ||||
| Largura de banda da frequência | Bw | 1 | 2000 | Megahertz | ||
| Resposta de frequência | Franco | - | 土 0,5 | - | DB | |
| Capacidade | Ct | - | 0,65 | 0,75 | PF | - |
| Tempo de resposta | Tr | 0,1 | - | ns | - | |
| Perda de retorno | R1 | -45 | DB | |||
| cso do cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell é uma tomada profissional nos módulos coaxiais do diodo do fotodetector de InGaAs (receptáculo ativo ótico análogo ROSA para obstruir dentro)
fabricante em China. Nós igualmente fornecemos diodos láser da borboleta, diodo de detector coaxial do laser da trança de InGaAs, dispositivo coaxial do laser do diodo da trança
e mais.
Atribuição de Pin 5.PD: