Boa qualidade.Componente eletrónicofornecedor da China GS Electronics,
MMBT3906LT1G - Detalhes do produto
Introdução:
O MMBT3906LT1G é um transistor PNP de alta qualidade que oferece excelente desempenho e fiabilidade num pacote compacto.Este transistor é bem adequado para uso em amplificadores.As suas características eléctricas excepcionais e o seu pequeno factor de forma tornam-no uma escolha ideal para projectos em que o espaço é limitado e o desempenho é crucial.
Características principais:
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Transistor PNP: O MMBT3906LT1G é um transistor PNP (Positivo-Negativo-Positivo), permitindo a amplificação e comutação eficientes de sinais elétricos.
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Amplificação de sinal pequeno: Este transistor é projetado especificamente para aplicações de amplificação de sinal pequeno, tornando-o adequado para amplificadores de áudio, osciladores e outros circuitos de baixa potência.
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Alto ganho: o MMBT3906LT1G oferece um ganho de corrente (hFE) de até 300, garantindo uma amplificação eficaz do sinal e uma reprodução precisa.
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Baixo Ruído: Com um baixo nível de ruído, este transistor minimiza ruído e interferências indesejadas, tornando-o ideal para aplicações de áudio e radiofrequência sensíveis.
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Velocidade de comutação rápida: O MMBT3906LT1G possui uma velocidade de comutação rápida, permitindo transições rápidas de ligação/desligação em circuitos digitais e aplicações de comutação.
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Ampla faixa de tensão: Este transistor opera dentro de uma ampla faixa de tensão de -40V, tornando-o adequado para uma ampla gama de projetos eletrônicos.
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Pacote SMD: O MMBT3906LT1G vem em um pacote compacto SMD (Surface Mount Device), facilitando a fácil integração em placas de circuito densamente povoadas e aplicações de espaço limitado.
Características elétricas:
Para obter uma melhor compreensão do desempenho elétrico do MMBT3906LT1G, consulte o quadro abaixo:
| Parâmetro |
Símbolo |
Valor |
| Corrente do colector (DC) |
- Não |
200 mA |
| Potência do colector (máximo) |
Pc |
350 mW |
| Voltagem colector-emissor (máximo) |
Vceo |
-40 V |
| Voltagem de base do colector (máximo) |
Vcbo |
-40 V |
| Voltagem de base do emissor (máximo) |
Vebo |
-5 V |
| Frequência de transição |
ft |
250 MHz |
| Intervalo de temperatura de funcionamento |
Em cima |
-55°C a +150°C |
Aplicações:
O transistor MMBT3906LT1G encontra aplicações em uma ampla gama de circuitos eletrônicos, incluindo:
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Amplificadores: Use o MMBT3906LT1G em amplificadores de áudio, pré-amplificadores e outros estágios de amplificação de baixa potência.
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Circuitos de comutação: Use este transistor em circuitos de comutação, como switches digitais, drivers de relé e portas lógicas.
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Osciladores: O MMBT3906LT1G pode ser usado em circuitos de oscilador para gerar frequências estáveis e precisas.
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Processamento de sinal: Utilize este transistor em aplicações de processamento de sinal, como filtros, misturadores e moduladores.
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Circuitos de RF (Radio Frequency): O baixo ruído e o alto ganho do MMBT3906LT1G o tornam adequado para circuitos de RF, incluindo amplificadores e receptores de RF.
Por favor, note que esta é apenas uma breve visão geral das características e aplicações do transistor MMBT3906LT1G.Ver a ficha de dados do produto e as notas de aplicação.
Em conclusão, o transistor MMBT3906LT1G PNP é um componente compacto e confiável que oferece alto desempenho em uma ampla gama de circuitos eletrônicos.ruído baixo, e velocidade de comutação rápida, é uma excelente escolha para tarefas de amplificação, comutação e processamento de sinal.
Incorpore o MMBT3906LT1G nos seus projetos para melhorar o desempenho e obter resultados ideais.
Para mais informações, fichas de dados e suporte, visite o nosso website ou entre em contacto com a nossa equipa de vendas.
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