HENKOSINO TECHNOLOGY CO.,LTD
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| Identificação de Vgs (th) (máximo) @: | 3.2V @ 250µA |
|---|---|
| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
| Estado sem chumbo/estado de RoHS: | Contém a ligação/RoHS complacentes |
| Descrição detalhada: | N-canal 100V 100A (Ta) 3.1W (Ta), (Tc) montagem 8-VSON-CLIP da superfície 195W (5x6) |
| Nível da sensibilidade de umidade (MSL): | 1 (ilimitado) |
| Fabricante Standard Lead Time: | 35 semanas |
| Tipo do FET: | N-canal |
| Série: | NexFET™ |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C: | 100A (Ta) |
| Outros nomes: | 296-37478-2 CSD19532Q5B-ND |
| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: | 4810pF @ 50V |
| Vgs (máximo): | ±20V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs: | 4,9 mOhm @ 17A, 10V |
| Tecnologia: | MOSFET (óxido de metal) |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs: | 62nC @ 10V |
| Temperatura de funcionamento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Destaques quentes das ofertas
| Modelo do produto | Tipo |
| XC6VLX550T- 1FFG1759I | XILINX |
| XCKU115-2FLVA2104I | XILINX |
| XC7A200T-2FFG676I | XILINX |
| XCZU17EG-2FFVC1760E | XILINX |
| EP2C35F672I8N | ALTERA |
| 5CEBA2F23C8N | ALTERA |
| XC7Z035-2FFG676E | XILINX |
| XC5VLX50-1FFG324I | XILINX |
| XC6VSX475T-1FFG1156I | XILINX |
| XCKU060-1FFVA1517C | XILINX |
Problema comum