Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd

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Diodo láser longitudinal do modo do semicondutor o poder a rendimento elevado do único empacotou

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Cidade:beijing
Província / Estado:beijing
País / Região:china
Pessoa de contato:MissMi Tian
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Diodo láser longitudinal do modo do semicondutor o poder a rendimento elevado do único empacotou

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Brand Name :HTOE
Model Number :LDM-0915-010W-*3
Place of Origin :Beijing, China
MOQ :50 pcs
Price :Negotiable
Payment Terms :T/T
Supply Ability :1000 pcs per month
Delivery Time :10-20 working days
Packaging Details :Paper Box
Output power :10 Watt
Lasing Wavelength :915±15 nm
Operating Current :≤11 A
Operating Voltage :≤2.2 V
Package :CoS/F-Mount
Welding Temperature :≤ 260 ℃
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o comprimento de onda 915nm um poder a rendimento elevado de 10 watts empacotou o único laser do diodo do emissor

LDM-0915-010W-*3 é um tipo emissores empacotados série de HTOE LDM de únicos, w é lasers do semicondutor da cavidade de Fabry-Perot baseados em uma epitaxia de quantum-bem e em um projeto da estrutura do medidor de ondas de cume. Os únicos emissores empacotados HTOE fornecem a confiança e o desempenho excelentes. O comprimento de onda Center inclui 635nm, 650nm, 670nm, 785nm, 808nm, 830nm, 915nm, 940nm, 980nm e 1064 nanômetro. Os projetos de pacote incluem às montagens, às montagens de CoS, às C-montagens e às F-montagens. Forneça o feixe que dá forma a serviços como a compressão da rápido-linha central de acordo com procuras dos clientes

 

Características

  • um poder a rendimento elevado de 10 watts
  • comprimento de onda do centro 915nm
  • Opções do pacote: microplaqueta no submount (CoS) e na F-montagem
  • Effiency eletro-ótico alto
  • Confiança alta

Aplicações

  • Iluminação
  • Processamento material
  • Bombeamento de laser

Parâmetros (20℃)

 

CoS/F-Mount empacotados escolhem o emissor
Parâmetro Unidade LDM-0915-010W-*3
Parâmetro ótico Potência de saída W 10
Comprimento de onda de Lasing nanômetro 915±15
Largura espectral nanômetro 10
Emitindo-se a largura da área µm 100
Coeficiente de temperatura nm/℃ 0,30
Divergência rápida da linha central grau <50
Divergência lenta da linha central grau <10
Parâmetro bonde Eficiência da inclinação W/A >1,0
Corrente do ponto inicial A <0.8
Corrente de funcionamento A ≤11.00
Tensão de funcionamento V ≤2.20
Outro Pacote - CoS/F-Mount
Temperatura de funcionamento 15 ~ 30
Temperatura de armazenamento -40 ~ 60
Temperatura da soldadura ≤260
Informação do pacote

Diodo láser longitudinal do modo do semicondutor o poder a rendimento elevado do único empacotou

Pacote de CoS

Diodo láser longitudinal do modo do semicondutor o poder a rendimento elevado do único empacotou

F-montagem

 

 

Curva da função

Diodo láser longitudinal do modo do semicondutor o poder a rendimento elevado do único empacotou

                               Curva espectral da curva de P-I-V

 

Observação

  1. Observação modelo do artigo: LDM (modelo), 0915 do artigo (comprimento de onda Center), 010W (potência de saída), *3 (estrutura do dissipador de calor e largura do artigo).
  2. Os dados na folha todos são baseados em testes do pacote de CoS.
  3. As precauções do ESD devem ser tomadas ao segurar a unidade.

  4. O tubo do laser deve ser mantido ou trabalhando em um ambiente seco para impedir a condensação, a condensação pode danificar o tubo do laser.

  5. Em altas temperaturas, aumentará a corrente do ponto inicial, abaixará a eficiência e acelerará o envelhecimento do tubo do laser.

  6. Quando o mais alto potência de saída do que os parâmetros especificados, ele acelerará o envelhecimento do tubo do laser.

  7. Para mais informação, contacte por favor a ótica electrónica Co. da Olá!-tecnologia, Ltd.

Cuidados do ESD

 

A causa preliminar da falha do diodo é descarga eletrostática inesperada. Para ajudar a impedir falhas do dispositivo, seja certo segurar dispositivos com cuidado extremo. Os usuários devem sempre vestir uma correia de pulso do ESD, moer todas as superfícies de trabalho aplicáveis e seguir técnicas antiestáticas ao segurar lasers do diodo.

 

 

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