Hi-Tech Optoelectronics Co., Ltd
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barra do diodo láser de 40 watts, barra desmontado do diodo láser de 808 nanômetro
Os lasers do semicondutor são a peça central da maioria de sistemas industriais de hoje do laser. Se o processamento material direto ou o bombeamento ótico dos lasers em estado sólido, os lasers da fibra ou os lasers do disco, os únicos emissores desmontados e barras são o componente-chave para a conversão inicial da energia elétrica na luz.
HTOE tem-se centrado sobre a tecnologia da bolacha de semicondutor desde 1998, entrega o poder superior multimodo em comprimentos de onda entre 635 e 1064nm.
Parâmetros (25℃)
| Parâmetro | Unidade | LDAC1-0808-0040 | |
| Parâmetro ótico | Modo de operação | - | CW |
| P potência de saídao | W | 40 | |
| Λ Centercdo comprimento de onda | nanômetro | 808 ± 5 | |
| Geométrico | Encha o fator | - | 30% |
| Número de únicos emissores desmontados | - | 19 | |
| Parâmetro bonde | Eficiência Esda inclinação | W/A | ≥1.1 |
| Corrente do ponto inicial mimth | A | ≤7 | |
| Corrente de funcionamento mimf | A | ≤40 | |
| Tensão de funcionamento Vf | V | ≤2 | |
Observação
1. Observação do artigo: LDAC1 (modelo) - **** do artigo (comprimento de onda center) - **** (potência de saída).
2. A folha de dados é baseada no resultado dos testes sob 25℃.
3. A folha de dados é baseada nos testes do pacote do CS.
4. Para mais informação, contacte por favor a ótica electrónica Co. da Olá!-tecnologia, Ltd.