Especificações técnicas do produto
UE RoHS	Complacente com isenção
ECCN (E.U.)	EAR99
Estado da parte	NRND
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Sim
SVHC excede o ponto inicial	Sim
Automotivo	Sim
PPAP	Desconhecido
Categoria de produto	MOSFET do poder
Material	Si
Configuração	Único
Tecnologia de processamento	HEXFET
Modo do canal	Realce
Tipo de canal	N
Número de elementos pela microplaqueta	1
Tensão máxima da fonte do dreno (v)	100
Tensão de fonte de porta máxima (v)	±20
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v)	4
Dreno contínuo máximo (a) atual	180
Resistência máxima da fonte do dreno (MOhm)	4.7@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC)	143@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC)	143
Capacidade entrada típica @ Vds (PF)	9575@50V
Dissipação de poder máxima (mW)	375000
Tempo de queda típico (ns)	77
Tempo de elevação típico (ns)	86
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns)	100
Tempo de atraso de ligação típico (ns)	21
Temperatura de funcionamento mínima (°C)	-55
Temperatura de funcionamento máximo (°C)	175
Categoria da temperatura do fornecedor	Automotivo
Empacotamento	Fita e carretel
Montagem	Montagem de superfície
Altura do pacote	4,83 (máximo)
Largura do pacote	9,65 (máximo)
Comprimento do pacote	10,67 (máximo)
O PWB mudou	2
Aba	Aba
Nome do pacote padrão	TO-263
Pacote do fornecedor	D2PAK
Pin Count	3
Forma da ligação	Gaivota-asa

Circuito integrado SOT263 novo e original de AUIRFS4010TRL

circuito integrado do CI