HK LIANYIXIN INDUSTRIAL CO., LIMITED
Produtos superiores, a chave dourada para abrir o mercado
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O IPD082N10N3 é um transistor MOSFET de canal N. As seguintes são suas aplicações, conclusões e parâmetros:
Aplicação:
Utilizado como interruptor de carga de alta tensão e de alta potência
Utilizado como interruptor para conversores e reguladores
Conclusão:
Capacidade de alta tensão: Vds=100V
Baixa resistência de condução: Rds (on) = 8,2m Ω (typ.)
Velocidade de comutação rápida: td (acendido) = 16ns (típico), td (desligado) = 60ns (típico)
Desempenho em altas temperaturas: pode funcionar a temperaturas de até 175 °C
Cumprir as directivas RoHS e os requisitos de livre de chumbo
Parâmetros:
Vds (voltagem da fonte de descarga): 100V
Vgs (voltagem da fonte da porta): ± 20V
Id (corrente de escoamento): 80A
Rds (on) (resistência de condução): 8,2 m Ω (tipo)
Qg (carga de porta): 135nC (típico)
Td (on) (tempo de atraso de arranque): 16 ns (típico)
Td (desligado) (tempo de atraso de desligamento): 60 ns (típico)
Tj (temperatura de junção): 175 °C
Cumprir as directivas RoHS e requisitos sem chumbo.
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