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Tipo :transistor do igbt
Lugar de origem :China
D/C :Novo
Tipo do pacote :outro
Marca :N/A, original
Atual - coletor (CI) (máximo) :N/A
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) :N/A
Saturação de Vce (máxima) @ Ib, CI :N/A
Atual - interrupção do coletor (máxima) :N/A
Ganho atual de C.C. (hFE) (minuto) @ CI, Vce :N/A
Poder - máximo :N/A
Frequência - transição :N/A
Temperatura de funcionamento :N/A
Pacote/caso :N/A
Resistor - base (R1) :N/A
Resistor - base do emissor (R2) :N/A
Tipo do FET :N/A
Drene à tensão da fonte (Vdss) :N/A
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :N/A
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :N/A
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :N/A
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs :N/A
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds :N/A
Frequência :N/A
Avaliação atual (ampères) :N/A
Figura de ruído :N/A
Saídas de potência :N/A
Tensão - avaliado :N/A
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) :N/A
Vgs (máximo) :N/A
Tipo IGBT :N/A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge, CI :N/A
Capacidade entrada (Cies) @ Vce :N/A
Entrada :N/A
Termistor de NTC :N/A
Tensão - divisão (V (BR) GSS) :N/A
Atual - dreno (Idss) @ Vds (Vgs=0) :N/A
Dreno atual (identificação) - máxima :N/A
Tensão - identificação da interrupção (VGS fora) @ :N/A
Resistência - RDS (sobre) :N/A
Tensão :N/A
Garantia :1 ano
Armazenando o tempo :3-5day
endereço de entrega :SHENZHEN
Detalhes de empacotamento :Caixa
Porto :SHENZHEN
Capacidade da fonte :100000 partes/partes por Mês
Conservado em estoque :8000+
Quantidade de ordem mínima :1PCS
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