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Módulo de poder 2-PACK de 2MBI100N-060 IGBT IGBT 600V 100A
MÓDULO de IGBT (série de N)
| Descrição | 1. IGBT é uma integração funcional de dispositivos do MOSFET e do BJT do poder no formulário monolítico |
| 2. IGBT combina os melhores atributos de ambos para conseguir características ótimas do dispositivo. Cada módulo consiste em dois IGBTs em uma configuração da metade-ponte com cada transistor que tem um diodo super-rápido reverso-conectado da livre-roda da recuperação. | |
| 3. Todo o componentsand interconecta é isolado da placa de base de naufrágio do calor, oferecendo o conjunto de sistema simplificado. | |
| Característica | 1). Quadrado RBSOA |
| 2). Baixa tensão de saturação | |
| 3). Função de limitação da sobrecarga (~3 vezes avaliaram a corrente) | |
| 4). IGBT é dispositivo de semicondutor do poder do três-terminal | |
| 5). Operação de alta frequência | |
| Aplicação | 1). A C.A. conduz o inversor |
| 2). Servocontrol | |
| 3). UPS, fonte de alimentação ininterrupta | |
| 4). Fontes de alimentação da soldadura |
avaliações máximas e características de n
• Avaliações máximas absolutas (Tc=25°C)
Unidades das avaliações dos símbolos dos artigos
Tensão VCES 600V do Coletor-emissor
Porta - ± 20V da tensão VGES do emissor
IC contínuo 100
Coletor 1ms
PULSO 200 DE IC
Contínuo atual - IC 100 1ms
- PULSO 200 DE IC
PC máximo 400W da dissipação de poder
°C de Tj +150 da temperatura de funcionamento
Temperatura de armazenamento Tstg -40∼ +125°C
Isolamento VoltageA.C. 1min.Vis 2500V
Montagem *13.5
Terminais *13.5
Nota: *1: Valor recomendável; 2.5∼ 3,5 nanômetro (M
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