TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD

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O diodo de retificador de uso geral 55V de IRFP064N 110A 200W jejua velocidade de interruptor

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TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsVIVI
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O diodo de retificador de uso geral 55V de IRFP064N 110A 200W jejua velocidade de interruptor

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Número de modelo :IRFP064N
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :10 pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte :50000pcs
Tempo de entrega :Stock
Detalhes de empacotamento :Tubo
Categorias :Os transistor - FETs, MOSFETs - escolhem
Drene à tensão da fonte (Vdss) :55V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :110A (Tc)
Conduza a tensão (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :8 mOhm @ 59A, 10V
Entre a capacidade (Ciss) (máximo) @ Vds :4000pF @ 25V
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs :170nC @ 10V
Dissipação de poder (máxima) :200W (Tc)
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N-canal de uso geral 55V 110A do diodo de retificador de IRFP064N (Tc) 200W (Tc) através do furo

 

Tecnologia de processamento avançada?

Em-resistência ultra baixa?

Avaliação dinâmica de dv/dt?

temperatura de funcionamento 175°C?

Interruptor rápido?

Inteiramente avalancha avaliada


Descrição

 

Os MOSFETs avançados do poder de HEXFET® do retificador internacional utilizam técnicas de processamento avançadas para conseguir extremamente - a baixa em-resistência pela área do silicone. Este benefício, combinado com a velocidade de comutação rápida e o projeto ruggedized do dispositivo que os MOSFETs do poder de HEXFET são conhecidos para, fornece o desenhista um dispositivo extremamente eficiente e seguro para o uso em uma grande variedade de aplicações.
O pacote TO-247 é preferido universalmente para todas as aplicações comercial-industriais a níveis da dissipação de poder a aproximadamente 50 watts. A baixa resistência térmica e o baixo custo do pacote do TO-247 contribuem a sua aceitação larga durante todo a indústria.

 

 

 

 

 

Atributos de produto Selecione toda
Categorias Produtos de semicondutor discretos
  Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Fabricante Infineon Technologies
Série HEXFET®
Empacotamento Tubo
Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 55V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 110A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 8 mOhm @ 59A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 170nC @ 10V
Vgs (máximo) ±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 4000pF @ 25V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 200W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247AC

 

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Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Telefone: 86-0755-82539981

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