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Diodo de retificador de uso geral do silicone do diodo de Schottky do canal de IRFP240N

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsVIVI
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Diodo de retificador de uso geral do silicone do diodo de Schottky do canal de IRFP240N

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Número de modelo :IRFP240
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :10 pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte :10000PCS
Tempo de entrega :Stock
Detalhes de empacotamento :Tubo
Categorias :Os transistor - FETs, MOSFETs - escolhem
Drene à tensão da fonte (Vdss) :200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :20A (Tc)
Conduza a tensão (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre) :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :180 mOhm @ 12A, 10V
Entre a capacidade (Ciss) (máximo) @ Vds :1300pF @ 25V
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs :70nC @ 10V
Dissipação de poder (máxima) :150W (Tc)
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N-canal de uso geral 200V 20A do diodo de retificador IRFP240 (Tc) 150W (Tc) através do furo

 

CARACTERÍSTICAS

 

• Avaliação dinâmica de dV/dt

• Avalancha repetitiva avaliada

• Furo de montagem central isolado

• Interruptor rápido • Facilidade da paralelização

• Exigências simples da movimentação

• Complacente a RoHS 2002/95/EC diretivo


DESCRIÇÃO

Os MOSFETs do poder da terceira geração de Vishay fornecem o desenhista a melhor combinação de interruptor rápido, de projeto ruggedized do dispositivo, de baixa em-resistência e de rentabilidade. O pacote de TO-247AC é preferido para as aplicações comercial-industriais onde os níveis de poder mais alto impossibilitam o uso de dispositivos de TO-220AB. O TO-247AC é similar mas superior ao pacote TO-218 mais adiantado porque seu furo de montagem isolado. Igualmente fornece maiores distâncias de dispersão entre os pinos para cumprir as exigências da maioria de especificações de segurança.
 

 

 

 

 

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Categorias Produtos de semicondutor discretos
  Os transistor - FETs, MOSFETs - escolhem
Fabricante Vishay Siliconix
Série -
Empacotamento Tubo
Estado da parte Ativo
Tipo do FET N-canal
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss) 200V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 20A (Tc)
Conduza a tensão (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre) 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 180 mOhm @ 12A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 4V @ 250µA
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (máximo) ±20V
Capacidade (Ciss) da entrada (máximo) @ Vds 1300pF @ 25V
Característica do FET -
Dissipação de poder (máxima) 150W (Tc)
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo da montagem Através do furo
Pacote do dispositivo do fornecedor TO-247-3

 

 

 

Diodo de retificador de uso geral do silicone do diodo de Schottky do canal de IRFP240NDiodo de retificador de uso geral do silicone do diodo de Schottky do canal de IRFP240N

 

 

 

Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-0755-82539981

 

 

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