Silicone NPN PowerTransistor dos transistor de 2SD1899 NPN PNP
DESCRIÇÃO
·Baixa tensão de saturação do coletor
·avalancha 100% testada
·Variações mínimas do Lote-à-lote para o desempenho robusto do dispositivo e a operação segura
APLICAÇÕES
·Aplicações altas da frequência da transição
Especificações
Categoria: BJT - uso geral
Fabricante: TECNOLOGIA DE RENESAS
Corrente de coletor (C.C.): 3 (A)
Tensão da Coletor-base: 60 (V)
Tensão do Coletor-emissor: 60 (V)
Tensão da Emissor-base: 7 (V)
Frequência: 120 (megahertz)
Dissipação de poder: 2 (W)
Montagem: Montagem de superfície
Escala de funcionamento do Temp: -55C a 150C
Tipo do pacote: TO-252
Contagem de Pin: 2 +Tab
Número de elementos: 1
Classificação da temperatura de funcionamento: Militar
Categoria: Poder bipolar
Rad endurecido: Não
Polaridade do transistor: NPN
Potência de saída: Não exigido (W)
Configuração: Único
Ganho atual de C.C.: 60@0.2A @2V/50@2A @2V

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