TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD

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Canal 60V 310mA dos transistor N da montagem NPN PNP da superfície 2N7002PW (Ta) 260mW

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TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsVIVI
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Canal 60V 310mA dos transistor N da montagem NPN PNP da superfície 2N7002PW (Ta) 260mW

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Número de modelo :2N7002PW
Lugar de origem :Malásia
Quantidade de ordem mínima :3000 PCes
Capacidade da fonte :T/T, Western Union, COMPROMISSO
Tempo de entrega :30000PCS
Detalhes de empacotamento :3000pcs/reel
Categorias :Os transistor - FETs, MOSFETs - escolhem
Drene à tensão da fonte :60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C :310mA (Ta)
Conduza a tensão :10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs :1,6 ohms @ 500mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ :2.4V @ 250µA
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs :0.8nC @ 4.5V
Entre a capacidade (Ciss) (máximo) @ Vds :50pF @ 10V
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Montagem SC-70 da superfície 260mW do N-canal 60V 310mA dos transistor de 2N7002PW NPN PNP (Ta) (Ta)
 
Descrição
Este MOSFET foi projetado minimizar a resistência do em-estado (o RDS (SOBRE)) no entanto mantenha o desempenho superior do interruptor, fazendo lhe o ideal para aplicações da gestão do poder da eficiência elevada.
Aplicações
 do controlo do motor do 
Funções de gestão do poder
 
 
Caracteriza o 
Baixo  da Em-resistência
Baixo  da tensão do ponto inicial da porta
Baixo  da capacidade da entrada
 rápido da velocidade de interruptor
 de superfície pequeno do pacote da montagem
 complacente de totalmente sem chumbo & inteiramente RoHS (notas 1 & 2)
O halogênio e o antimônio livram.  do dispositivo do “verde” (notas 3 & 4)
Qualificado aos padrões AEC-Q101 para a confiança alta
mecânico dos dados
Caso:  SOT23
Material do caso: Plástico moldado, composto moldando “verde”. Classificação da inflamabilidade do UL que avalia a sensibilidade de umidade do  94V-0: Nível 1 pelo  J-STD-020
Terminais: O revestimento matte da lata recozeu sobre o leadframe da liga 42 (chapeamento sem chumbo). Solderable por MIL-STD-202,  do método 208
Conexões terminais: Veja o  do diagrama
Peso: 0,008 gramas (aproximado)
 
 
 
 

Atributos de produtoSelecione tudo
CategoriasProdutos de semicondutor discretos
 Os transistor - FETs, MOSFETs - escolhem
FabricanteNexperia EUA Inc.
Série-
EmpacotamentoFita & carretel (TR)
Estado da parteAtivo
Tipo do FETN-canal
TecnologiaMOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C310mA (Ta)
Conduza a tensão (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre)10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs1,6 ohms @ 500mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @2.4V @ 250µA
Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs0.8nC @ 4.5V
Vgs (máximo)±20V
Capacidade (Ciss) da entrada (máximo) @ Vds50pF @ 10V
Característica do FET-
Dissipação de poder (máxima)260mW (Ta)
Temperatura de funcionamento-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo da montagemMontagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedorSC-70
Pacote/casoSC-70, SOT-323

 
 
 
 
 
Canal 60V 310mA dos transistor N da montagem NPN PNP da superfície 2N7002PW (Ta) 260mWCanal 60V 310mA dos transistor N da montagem NPN PNP da superfície 2N7002PW (Ta) 260mW
 
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-0755-82539981







































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