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Montagem da superfície 417mW do P-canal 60V 300mA dos transistor de BSH201 NPN PNP (Ta) (Ta)
transistor do MOS do modo BSH201 do realce do P-canal
DADOS DE REFERÊNCIA RÁPIDA DO SÍMBOLO DAS CARACTERÍSTICAS • Baixa tensão do ponto inicial VDS = -60 V • Interruptor rápido • Compatível nivelado da lógica identificação = -0,3 A • Ω de superfície Subminiature do ≤ 2,5 do pacote RDS da montagem (SOBRE) (VGS = -10 V)
DESCRIÇÃO GERAL QUE FIXA SOT23
P-canal, modo do realce, nível da lógica da DESCRIÇÃO do PIN, transistor de poder do efeito de campo. Este dispositivo tem a tensão do ponto inicial da porta do ponto baixo 1 e o interruptor extremamente rápido que fazem lhe o ideal para 2 aplicações a pilhas da fonte e o conexão digital de alta velocidade. dreno 3
O BSH201 é fornecido no pacote subminiature da montagem SOT23 de superfície.
| Atributos de produto | Selecione tudo |
| Categorias | Produtos de semicondutor discretos |
| Os transistor - FETs, MOSFETs - escolhem | |
| Fabricante | Nexperia EUA Inc. |
| Série | - |
| Empacotamento | Fita & carretel (TR) |
| Estado da parte | Ativo |
| Tipo do FET | P-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene à tensão da fonte (Vdss) | 60V |
| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C | 300mA (Ta) |
| Conduza a tensão (RDS máximo sobre, o minuto o RDS sobre) | 4.5V, 10V |
| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs | 2,5 ohms @ 160mA, 10V |
| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 1mA (minuto) |
| Bloqueie a carga (Qg) (máximo) @ Vgs | 3nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacidade (Ciss) da entrada (máximo) @ Vds | 70pF @ 48V |
| Característica do FET | - |
| Dissipação de poder (máxima) | 417mW (Ta) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo da montagem | Montagem de superfície |
| Pacote do dispositivo do fornecedor | TO-236AB |
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
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