TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD
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O MOSFET do N-canal dos transistor de CJ2310 S10 NPN PNP Plástico-encapsula MOSFETS
DESCRIÇÃO
O CJ2310 usa tecnologia avançada da trincheira para fornecer o RDS excelente (SOBRE), a baixas carga da porta e operação com a tensão da porta tão baixo quanto 2.5V. Este dispositivo é apropriado para o uso como uma proteção da bateria ou na outra aplicação do interruptor.
da CARACTERÍSTICA
Poder superior e entregando atual da capacidade
O produto sem chumbo é adquirido
Pacote de superfície da montagem
da APLICAÇÃO
do interruptor de bateria
Conversor de DC/DC
Avaliações máximas (Ta=25℃ salvo disposição em contrário)
Unidade do valor do símbolo do parâmetro
Tensão VDS 60 V da Dreno-fonte
Tensão VGS ±20 V da Porta-fonte
Identificação atual 3 A do dreno contínuo
Corrente pulsada do dreno (nota 1) I DM 10 A
Paládio 0,35 W da dissipação de poder
Resistência térmica da junção (nota 2) ao θJA ambiental 357 ℃/W de R
℃ da temperatura de junção TJ 150
℃ da temperatura de armazenamento TSTG -55~+150
Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
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