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Transistor bipolar 38W Tc de Npn do canal de FDPF10N60NZN através do furo a 220F

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TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsVIVI
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Transistor bipolar 38W Tc de Npn do canal de FDPF10N60NZN através do furo a 220F

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Número de modelo :FDPF10N60NZ
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :10 pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, COMPROMISSO
Capacidade da fonte :10000PCS
Tempo de entrega :Stock
Detalhes de empacotamento :Tubo
Categoria :MOSFET DO PODER
Tensão máxima da fonte do dreno (v) :600v
Tensão de fonte de porta máxima (v) :±25V
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) :5V
Corrente contínua máxima do dreno (a) :10A
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) :10000NA
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm) :750@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) :23@10V
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N-canal 600V 10A dos transistor de FDPF10N60NZ NPN PNP (Tc) 38W (Tc) através do furo TO-220F

 

MOSFET 600V do N-canal, 10A, 0,75
Características
 
•RDS (sobre) = 0,64  (tipo.) @ VGS = 10V, identificação = 5A
• Baixa carga da porta (tipo. 23nC)
• Baixo Crss (tipo. 10pF)
• Interruptor rápido
• Avalancha 100% testada
• Capacidade melhorada de dv/dt
• Capacidade melhorada ESD
• RoHS complacente
 

 

Descrição
 
Estes efeito de campo do poder do modo do realce do N-canal
os transistor são produzidos usando o proprietário de Fairchild, planar
listra, tecnologia de DMOS.
Esta tecnologia avançada foi costurada especialmente para minimizar
a resistência do em-estado, fornece o interruptor superior
desempenho, e pulso do de alta energia do withstand na avalancha
e modo da comutação. Estes dispositivos são poço - serido para a elevação
fontes de alimentação comutadas eficientes do modo e fator de poder ativo
correção

 

UE RoHS
Complacente com isenção
ECCN (E.U.) EAR99
Categoria de produto MOSFET do poder
Configuração Único
Tecnologia de processamento UniFET II
Modo do canal Realce
Tipo de canal N
Número de elementos pela microplaqueta 1
Tensão máxima da fonte do dreno (v) 600
Tensão de fonte de porta máxima (v) ±25
Tensão máxima do ponto inicial da porta (v) 5
Corrente contínua máxima do dreno (a) 10
Corrente máxima do escapamento da fonte da porta (nA) 10000
Máximo IDSS (A) 1
Resistência máxima da fonte do dreno (mOhm) 750@10V
Carga típica @ Vgs da porta (nC) 23@10V
Carga típica @ 10V da porta (nC) 23
Capacidade típica @ Vds da entrada (PF) 1110@25V
Dissipação de poder máxima (mW) 38000
Tempo de queda típico (ns) 50
Tempo de elevação típico (ns) 50
Tempo de atraso típico da volta-Fora (ns) 70
Tempo de atraso de ligação típico (ns) 25
Temperatura de funcionamento mínima (°C) -55
Temperatura de funcionamento máximo (°C) 150
Empacotamento Tubo
Pacote do fornecedor TO-220FP
Nome do pacote padrão TO-220
Contagem de Pin 3
Montagem Através do furo
Altura do pacote 15,87
Comprimento do pacote 10,16
Largura do pacote 4,7
PWB mudado 3
Aba Aba
Forma da ligação Através do furo

 

 

 

Transistor bipolar 38W Tc de Npn do canal de FDPF10N60NZN através do furo a 220F

 

 

Co ltd do tehcnology da eletrônica do supermercado fino
www.icmemorychip.com
E-mail: sales@deli-ic.com
Skype: hksunny3
Telefone: 86-0755-82539981

 

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