TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD
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Canal bipolar isolado TOSHIBA IGBT do silicone N do transistor da porta GT20J101
Aplicações do interruptor do poder superior
• A ó geração • Realce-modo
• Alta velocidade: tf = 0,30 µs (máximos)
• Baixa tensão de saturação: VCE (sentado) = 2,7 V (máximos)
| Característico | Símbolo | Avaliação | Unidade |
| tensão do Coletor-emissor | VCES | 600 | V |
| tensão do Porta-emissor | VGES | +-20 | V |
| C.C. da corrente de coletor | IC | 20 | A |
| Senhora da corrente de coletor 1 | ICP | 40 | A |
| Dissipação de poder do coletor (Tc = 25°C) | PC | 130 | W |
| Temperatura de junção | Tj | 150 | °C |
| Variação da temperatura do armazenamento | Tstg | −55~150 | °C |
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