Memória de massa do plástico PBF TSOP 3.3V do chip de memória 8GX8 de IC do flash de MT29F64G08CBABAWP Nand

MT29F64G08CBABAWP: MEMÓRIA DE MASSA do PLÁSTICO PBF TSOP 3.3V do FLASH 8GX8 do NAND do chip de memória de B IC

Características

• Abra a relação (ONFI) do flash do NAND 1,0 compliant1

• Tecnologia de uma só camada de (SLC) da pilha

• Organização – tamanho de página x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes) – tamanho de página x16: 1056 palavras das palavras (1024 + 32) – tamanho de bloco: 64 páginas (bytes 128K + 4K) – tamanho plano: 2 planos x 2048 blocos pelo plano – tamanho do dispositivo: 4Gb: 4096 blocos; 8Gb: 8192 blocos 16Gb: 16.384 blocos

• Desempenho assíncrono do I/O – tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)

• Desempenho da disposição – página lida: 25µs 3 – página do programa: 200µs (TIPO: 1.8V, 3.3V) 3 – bloco do Erase: 700µs (TIPO)

• Comando ajustado: Protocolo do flash de ONFI NAND

• Comando avançado – o esconderijo mode4 da página do programa – o Dois-plano lido ajustado do modo 4 do esconderijo da página único modo programável de (OTP) – – comanda 4 – intercalado morrem as operações (LUN) – identificação original lida – fechamento do bloco (1.8V somente) – movimento dos dados internos

• O byte de estado da operação fornece o método do software detectando – conclusão da operação – a condição da passagem/falha – Escrever-proteja o estado

• O sinal pronto/Busy# (R/B#) fornece um método do hardware de detectar a conclusão da operação

• Sinal de WP#: Escreva - proteja o dispositivo inteiro

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