Diodo antiparalelo 43A 1200V do canal IGBT Hyperfast da série N de HGTG11N120CND NPT
Descrição:
O HGTG11N120CND é um Não-perfurador com (NPT) o projeto de IGBT.
Este é um membro novo do MOS bloqueou a família de alta tensão do interruptor IGBT.
IGBTs combina as melhores características dos MOSFETs e de transistor bipolares.
Este dispositivo tem a impedância alta da entrada de um MOSFET e da baixa perda da condução do em-estado de um transistor bipolar.
O IGBT usou-se é o tipo de desenvolvimento TA49291.
O diodo usado é o tipo de desenvolvimento TA49189.
O IGBT é ideal para muitas aplicações de comutação de alta tensão que operam-se em frequências moderados
onde baixo as perdas da condução são essenciais, como: Controlos do motor da C.A. e da C.C., fontes de alimentação e motoristas para os solenoides,
relés e contatores. Tipo anteriormente desenvolvente TA49303.
Características:
• 43A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V que comuta SOA Capability
• Tempo de queda típico. …. .340ns em TJ = 150oC
• Procurar um caminho mais curto a avaliação
• Baixa perda da condução
• Modelo térmico da ESPECIARIA da impedância
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