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IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsVIVI
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IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta

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Number modelo :IRGB10B60KDPBF
Lugar de origem :Alemanha
Quantidade de ordem mínima :5-10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union, Paypal
Capacidade da fonte :10,000pcs
Prazo de entrega :em 2-3days conservado em estoque
Detalhes de empacotamento :Tubo
PN :IRGB10B60KDPBF
Marca :INFINEON/IR
Original :Alemanha
Tipo :Diodo macio Ultrafast isolado da recuperação do transistor bipolar da porta
Tensão :IGBT 600V 22A 156W
pacote :TO220AB
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IRGB10B60KDPBF # transistor bipolar isolado da porta com o diodo macio Ultrafast IGBT da recuperação

600V 22A 156W TO220AB

Características
• Baixos VCE (sobre) perfuram não com a tecnologia de IGBT.
• Baixo diodo VF.
• 10µs procuram um caminho mais curto a capacidade.
• Quadrado RBSOA.
• Características reversas da recuperação do diodo Ultrasoft.
• Coeficiente de temperatura positivo de VCE (sobre).
• Sem chumbo
Benefícios
• Eficiência da avaliação de desempenho para o controlo do motor.
• Desempenho transiente áspero.
• Baixo IEM.
• Atual excelente compartilhando paralelamente da operação.
Número da peça IRGB10B60KDPBF
Fabricante Infineon
Transistor discretos dos produtos de semicondutor das categorias - IGBTs - único fabricante Infineon
Empacotamento Tubo
Original Alemanha
Estado da parte Ativo
Tipo de IGBT NPT
Tensão - divisão do emissor do coletor (máxima) 600V
Atual - coletor (CI) (máximo) 22A
Atual - coletor pulsado (Icm) 44A
Vce (sobre) (máximo) @ Vge CI 2.2V @ 15V 10A
Poder - máximo 156W
Energia de comutação 140µJ (sobre) 250µJ (fora)
Tipo entrado Padrão
Carga da porta 38nC

IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
IGBT 600V 22A 156W isolou o transistor bipolar IRGB10B60KDPBF da porta
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E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contato: VIVI-CHEN
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