Categorias de Produtos

Chip de memória de IC

[23]

Microplaqueta do circuito integrado

[74]

Microplaqueta de IC do computador

[13]

Gestão IC do poder

[24]

Conector do PWB

[149]

Lâmpada UVC do diodo emissor de luz

[49]

Diodo de retificador de uso geral

[60]

Transistor de NPN PNP

[64]

SMD Chip Resistor

[29]

SMD Chip Capacitor

[41]

Tecla sobre fora do interruptor

[14]

Módulo de poder de IGBT

[26]

Módulo do tiristor

[7]

Módulo sem fio do RF

[11]

SMD Chip Inductors

[11]

Sensores do gás da qualidade do ar

[9]

Componentes da iluminação do diodo emissor de luz

[10]

Baixos relés do sinal

[26]

Cristais e osciladores

[10]

Outros componentes eletrônicos

[48]

Contate

TECNOLOGIA CO. DA ELETRÔNICA DO SUPERMERCADO FINO, LTD

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

Pessoa de contato:MrsVIVI

Ver detalhes de contato

Contate

China Mosfets TO-252AA do poder do canal de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N wholesale

Mosfets TO-252AA do poder do canal de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N

Pergunte o preço mais recente

Number modelo :RFD14N05LSM

Lugar de origem :EUA

Quantidade de ordem mínima :10pcs

Payment Terms :T/T, Western Union, paypal

Capacidade da fonte :10,000pcs

Prazo de entrega :em 2-3days conservado em estoque

Detalhes de empacotamento :75pcs/tubo

PN :RFD14N05LSM

Marca :EM

Original :EUA

Tipo :Mosfets do poder do N-canal do nível da lógica

pacote :Montagem de superfície de TO-252AA

Atual :14A

Tensão :50V

Indutance :0.1Ohm

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

Montagem da superfície dos Mosfets TO-252AA do poder do N-canal do nível da lógica de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm

Introdução:

O RFD14N05LSM é uns 14 A, 50 V, 0,1 Ω, Mosfet do poder do nível da lógica do N-canal.

Vem em um pacote de TO-252AA e de variações da temperatura de Operting do °C -55 a 175 °C.

É fabricado usando o processo de MegaFET.

Este processo, que usa os tamanhos de característica que aproximam aqueles de circuitos integrados do LSI,

dá a utilização a melhor do silicone, tendo por resultado o desempenho proeminente.

Características:

Tipo do Fet: N-Ch

Tensão da Dreno-à-fonte [Vdss]: 50V

Dreno-fonte em Resistência-máximo: 0.1Ω

Dissipação de poder avaliado: 48 W

Carga da porta de Qg: 40nC

Pacote: TO-252AA

Tipo de Mouting: Montagem de superfície

MOSFET do poder de TrenchFET®

100% Rg e UIS testou

APLICAÇÕES

• Conversores de DC/DC

• Inversores de DC/AC

• Movimentações do motor

Mosfets TO-252AA do poder do canal de RFD14N05LSM 14A 50V 0.1Ohm N

Tehcnology Co. da eletrônica do supermercado fino, Ltd.
E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
Contato: VIVI-CHEN