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GT20J301 Toshiba isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsVIVI
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GT20J301 Toshiba isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta

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Number modelo :GT20J301
Lugar de origem :Japão
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Payment Terms :T/T, Western Union, paypal
Capacidade da fonte :10,000pcs
Prazo de entrega :em 2-3days conservado em estoque
Detalhes de empacotamento :carretel
PN :GT20J301
Tipo :Canal IGBT do silicone N do transistor
Original :Japão
Tensão :2.7V (máximo)
Material :Original
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A ó geração
●Realce-modo
●Alta velocidade. : tf=0.30pμs (máximo)
●Baixa tensão de saturação: VCE (se sentou) =2.7V (máximo)
●FRD incluiu entre o emissor e o coletor

GT20J301 Toshiba isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta

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GT20J301 Toshiba isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta

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E-mail: sales3@deli-ic.com
Skype: hkdeli881
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