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FLASH do mícron M29DW323 de M29DW323DT70N6E NEM componentes eletrônicos de IC TSOP48 dos circuitos integrados da memória
- Memória Flash da fonte 3V de M29DW323DT M29DW323DB 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16, 8:24 duplo do banco, bloco de bota)
O M29DW323D é uma memória permanente de 32 Mbit (4Mb x8 ou 2Mb x16) que possa ser lida, apagado e reprogrammed. Estas operações podem ser executadas usando uma única fonte da baixa tensão (2,7 a 3.6V). Na ligação inicial os defeitos da memória a seu modo lido. O dispositivo caracteriza uma arquitetura assimétrica do bloco. O M29DW323D tem uma disposição de 8 63 os principais blocos do parâmetro e e é dividido em dois bancos, A e B, fornecendo operações duplas do banco. Ao programar ou ao apagar no banco A, leia as operações são possíveis no banco B e vice-versa. Somente um banco de cada vez é permitido estar no programa ou apaga o modo.
M29DW323D tem uns 32 extra KWord (modo x16) ou o bloco de 64 KByte (modo x8), o bloco prolongado, que pode ser alcançado usando um comando dedicado. O bloco prolongado pode ser protegido e assim que é útil para armazenar a informação de segurança.
Contudo a proteção é irreversível, protegeu uma vez a proteção não pode ser desabotoada
. Cada bloco pode ser apagado independentemente assim que é possível preservar dados válidos quando os dados velhos forem apagados.
Os blocos podem ser protegidos para impedir o programa acidental ou para apagar comandos de alterar a memória.
O programa e para apagar comandos é escrito à relação do comando da memória.
Um programa da em-microplaqueta/apaga o controlador simplifica o processo de programar ou de apagar a memória tomando de todas as operações especiais que são exigidas para atualizar os índices da memória.
O fim de um programa ou para apagar a operação pode ser detectado e todas as condições de erro identificaram.
O comando ajustado exigido para controlar a memória é consistente com os padrões de JEDEC.
Chip Enable, saída permite e escreve permite o controle de sinais a operação do ônibus da memória.
Permitem a conexão simples à maioria de microprocessadores, frequentemente sem lógica adicional.
A memória é oferecida (passo de 6x8mm, de 0.8mm) nos pacotes TSOP48 (12x20mm), e TFBGA48.
SUMÁRIO DAS CARACTERÍSTICAS:
TENSÃO DE FONTE
– VCC = 2.7V a 3.6V para o programa, apagam e lido
– VPP =12V para o programa rápido (opcional)
O O TEMPO DE ACESSO: 70ns
TEMPO DE PROGRAMAÇÃO DO
– 10µs pelo byte/palavra típicos
– Programa quádruplo do byte da palavra dobro
BLOCOS DE MEMÓRIA DO
– Disposição dupla da memória do banco: 8Mbit+24Mbit
– O parâmetro obstrui (o lugar superior ou inferior)
OPERAÇÕES DUPLAS DO
– Leia em um programa do quando do banco ou apague em outro
O APAGA PARA SUSPENDER e RECOMEÇAR MODOS
– Lido e programa um outro bloco durante para apagar para suspender
O DESTRAVA O COMANDO DO PROGRAMA DO DESVIO
– Programação mais rápida da produção/grupo
PIN do VPP/WP para o PROGRAMA RÁPIDO e PARA ESCREVER - PARA PROTEGER
MODO PROVISÓRIO DO BLOCO UNPROTECTION DO
O FLASH COMUM do CONECTA o código de segurança mordido 64
BLOCO DE MEMÓRIA PROLONGADA DO
– Bloco extra usado como o bloco da segurança ou para armazenar a informações adicionais
Apoio do CONSUMO da BAIXA POTÊNCIA do e apoio automático
CICLOS do 100.000 PROGRAM/ERASE pelo BLOCO
ASSINATURA ELETRÔNICA DO
– Fabricante Code: 0020h
– Código de dispositivo superior M29DW323DT: 225Eh
– Código de dispositivo inferior M29DW323DB: 225Fh
Especificação da PARALELA 48TSOP-M29DW323DT70N6E do FLASH 32MBIT de IC:
Catetory | Componentes eletrônicos |
Subcategoria
|
Circuitos integrados (CI)
|
Série
|
Memória
|
Mfr
|
Micron Technology Inc.
|
Pacote
|
Bandeja
|
Estado da parte
|
Obsoleto
|
Tipo da memória
|
Permanente
|
Formato da memória
|
FLASH
|
Tecnologia
|
FLASH - NEM
|
Tamanho de memória
|
32Mb (4M x 8, 2M x 16)
|
Relação da memória
|
Paralelo
|
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página
|
70ns
|
Tempo de acesso
|
70 ns
|
Tensão - fonte
|
2.7V ~ 3.6V
|
Temperatura de funcionamento
|
-40°C ~ 85°C (TA)
|
Montando o tipo
|
Montagem de superfície
|
Pacote/caso
|
48-TFSOP (0,724", largura de 18.40mm)
|
Pacote do dispositivo do fornecedor
|
48-TSOP
|
Número baixo do produto
|
M29DW323
|
Números do produto relacionado:
Peça de Mfr # | Tecnologia | Tamanho de memória | Pacote do dispositivo |
M29DW323DB70N6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70N6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB5AN6F TR | FLASH - NEM | 256Mb (16M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N3E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70ZE6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB70ZE6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DB7AN6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DT70ZE6F TR | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70ZE6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TFBGA (6x8) |
M29DW323DT70N6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6E | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
M29DW323DB70N6 | FLASH - NEM | 32Mb (4M x 8, 2M x 16) | 48-TSOP |
Informação pedindo:
Sobre a tecnologia do mícron
O mícron faz as soluções inovativas da memória e do armazenamento que estão ajudando a conduzir de hoje a maioria de descobertas significativas e disruptivas da tecnologia, tais como a inteligência artificial, o Internet das coisas, auto-conduzindo carros, exploração do espaço medicina-uniforme personalizada. Pela abertura de caminhos de mais rápido e pelas mais maneiras eficazes de recolher, armazenar e controlar dados, estão ajudando a revolucionar e para melhorar a maneira que o mundo se comunica, se aprende e se avança.
Categorias de produto da tecnologia do mícron:
Circuitos integrados (CI)
Cartões de memória, módulos
Ótica eletrónica
Imagem para a referência:
Classificações ambientais & da exportação
ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
---|---|
Estado de RoHS | ROHS3 complacente |
Nível da sensibilidade de umidade (MSL) | 3 (168 horas) |
Estado do ALCANCE | ALCANCE não afetado |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Número da peça de IC dos circuitos integrados dos substitutos:
S29JL032J70TFI010/S29JL032J70TFI310
Nós vendemos o portfólio o mais largo da indústria de tecnologias da memória e de armazenamento: GOLE, NAND, e NEM memória CI. Com parcerias da indústria e experiência próximas das soluções da memória, nossa introspecção original dá-nos a capacidade para endereçar suas necessidades mais desafiantes.
Paralela relacionada NEM catálogo de peça instantâneo do circuito integrado:
MT28EW128ABA1HJS-0SIT |
MT28EW128ABA1HPC-0SIT |
MT28EW128ABA1HPN-0SIT |
MT28EW128ABA1LJS-0SIT |
MT28EW128ABA1LPC-0SIT |
MT28EW128ABA1LPN-0SIT |