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China MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS wholesale

MOSFET IC do poder de BSC070N10NS3GATMA1 Infineon OptiMOS

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Number modelo :BSC070N10NS3GATMA1

Lugar de origem :Malásia

Quantidade de ordem mínima :1pieces

Termos do pagamento :T/T, Western Union

Capacidade da fonte :5000pcs

Prazo de entrega :5 dias de trabalho

Detalhes de empacotamento :Carretel

Detalhes :N-Canal 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Montagem em Superfície PG-TDSON-8-1

Nome de produtos :Circuitos integrados (IC)

Categoria :componentes eletrônicos

Família de IC :Transistores de produtos semicondutores discretos - FETs, MOSFETs - Simples

O outro nome :BSC070

Pacote :TDSON8

Descrição :MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8

Estado sem chumbo :RoHS complacente, PB livre, sem chumbo

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N-canal 100 V 90A 114W PG-TDSON-8 IC do MOSFET do poder de OptiMOS de 07N10NS BSC070N10NS3GATMA1 Infineon

Descrição:

Os MOSFETs do poder do 100V OptiMOS™ de Infineon oferecem soluções superiores para a eficiência elevada, poder-densidade alta SMPS.

Comparado à melhor tecnologia seguinte esta família consegue uma redução de 30% em ambos os R DS (sobre) e em FOM (figura de mérito).

Aplicações potenciais:
Correção síncrono para AC-DC SMPS
Controlo do motor para os sistemas 48V-80V (isto é veículos, ferramentas elétricas, caminhões domésticos)
Conversores isolados de DC-DC (telecomunicações e sistemas do datacom
Interruptores e interruptores do anel-O nos sistemas 48V
Amplificadores audio da classe D
Fontes de alimentação Uninterruptable (UPS)

Sumário das características:
Desempenho de comutação excelente
O mais baixo R DS do mundo (sobre)
Baixo gd mesmo de Q g e de Q
Produto excelente da carga x R DS da porta (sobre) (FOM)
Complacente-halogênio de RoHS livre
MSL1 avaliou 2

Benefícios

A favor do meio ambiente
Eficiência aumentada
Densidade de poder o mais alto
Menos paralelização exigida
O consumo o menor do placa-espaço
produtos do Fácil-à-projeto

Especificações:

Categoria	Produtos de semicondutor discretos
	Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Mfr	Infineon Technologies
Série	OptiMOS™
Pacote	Fita & carretel (TR)
Estado da parte	Ativo
Tipo do FET	N-canal
Tecnologia	MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)	100 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C	90A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs	7mOhm @ 50A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @	3.5V @ 75µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds	4000 PF @ 50 V
Característica do FET	-
Dissipação de poder (máxima)	114W (Tc)
Temperatura de funcionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo	Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Pacote/caso	8-PowerTDFN
Número baixo do produto	BSC070

Parametrics	BSC070N10NS3G
Ciss	3000 PF
Coss	520 PF
Identificação (@25°C) máximo	90 A
IDpuls máximo	360 A
Minuto da temperatura de funcionamento máximo	-55 °C do °C 150
Ptot máximo	114 W
Pacote	SuperSO8 5x6
Polaridade	N
QG (tipo @10V)	42 nC
RDS (sobre) (@10V) máximo	mΩ 7
Rth	1,1 K/W
VDS máximo	100 V
Minuto de VGS (th) máximo	2,7 V 2 V 3,5 V

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