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60V 10.8A diodos transistores FETS DMT6009LSS-13 MOSFET único canal N

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:hongkong
País / Região:china
Pessoa de contato:MrsSophia
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60V 10.8A diodos transistores FETS DMT6009LSS-13 MOSFET único canal N

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Number modelo :DMT6009LSS-13
Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :10
Termos do pagamento :T/T, Western Union
Capacidade da fonte :500000PCS
Prazo de entrega :2-15days
Detalhes de empacotamento :Carretel
Categoria :Componentes eletrônicos-semicondutor discreto
Tipo :MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4,5Vgs
Família :Transistores de diodos
Montagem :Montagem de superfície
Aplicação :Conversor de iluminação de adaptador de fonte de alimentação de modo de comutação
Pacote :SOP8
Serise :MOSFET N-CH 60V 10,8A 8SO T&R 2
Nome do produto :DMT6009LSS-13 MOSFET único canal N 60V 10.8A diodos transistores
Descrição :Canal N 60 V 10,8 A (Ta) 1,25 W (Ta) Montagem em Superfície 8-SO
Resíduos :Em estoque
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DMT6009LSS-13 únicos transistor do canal 60V 10.8A do MOSFET N

Semicondutor discreto do MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 dos FETS

Especificação DMT6009LSS-13:

Número da peça DMT6009LSS-13
Categoria
Produtos de semicondutor discretos
 
Transistor - FETs, MOSFETs - únicos
Mfr
Diodos incorporados
Série
-
Pacote
Fita & carretel (TR)
Estado da parte
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
10.8A (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2V @ 250µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
33,5 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
1925 PF @ 30 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
8-SO
Pacote/caso
8-SOIC (0,154", largura de 3.90mm)
Número baixo do produto
DMT6009

Produtos relacionados:

CARACTERÍSTICAS DMT6009LSS-13
* microplaqueta passivated de vidro
* protetor da fiação incorporado
* baixa indutância
* dissipação de poder reversa máxima alta
* baixo escapamento reverso
* avaliação do ESD da classe 3 (> 20 quilovolts) pelo modelo do corpo humano

60V 10.8A diodos transistores FETS DMT6009LSS-13 MOSFET único canal N

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60V 10.8A diodos transistores FETS DMT6009LSS-13 MOSFET único canal N

Diodos de interruptor da fonte da Anjo-tecnologia, diodos do zener, retificadores da barreira de schottky, retificadores de ponte, de proteção das tevês, do ESD dispositivos, transistor bipolares, MOSFETs, tiristores, etc., que são cumpridos com o RoHS e o padrão do ALCANCE. Nossa fábrica certificada tem mais de 500 empregados capazes de produzir componentes consistentemente seguros do semicondutor 1,5 bilhões anualmente. Nossa empresa com a gestão a mais avançada de equipamento e de sistemas do ERP é cometida a estabelecer uma boa imagem do mercado. A fábrica passou a certificação da qualidade ISO9001, certificação ambiental do sistema de gestão ISO14001. Todos os produtos passaram o teste do GV, os critérios de ROHS e de ALCANCE 1907/2010/EC 48. Com o aprimoramento contínuo da qualidade de produto e do suporte laboral pós-venda profissional, nós ganhamos a confiança dos clientes no tipo da empresa. Nossos produtos são amplamente utilizados no PODER do PC, na iluminação verde, nas caixas de set-top, em produtos digitais, no controle automotivo, industrial, no equipamento de comunicações e nos outros campos, que serve clientes em fabricantes conhecidos domésticos e estrangeiros. “A novidade, o refinamento e a novidade procurando” são tratados como nossa política de ambiente da qualidade. Nós temos a boa fé e a credibilidade em nossos produtos. Após anos de desenvolvimento, nossos produtos foram reconhecidos e elogiados pelo mercado. Nós continuaremos a inovação tecnológica a criar o valor para clientes. No futuro, nossa empresa devotar-se-á ao desenvolvimento tornando-se da indústria do mercado da eletrônica do semicondutor, em resposta aos desafios globais mais rápidos da indústria eletrónica.

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