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Shenzhen Angel Technology Electronics Co. Distribuidor de componentes eletrónicos e fabricante de PCBA

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W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

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Cidade:shenzhen
Província / Estado:hongkong
País / Região:china
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W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

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Number modelo :W9725G6KB-25
Lugar de origem :Taiwan
Quantidade de ordem mínima :1pieces
Termos do pagamento :T/T, Western Union
Capacidade da fonte :12000pcs
Prazo de entrega :5-8 Trabalhando
Detalhes de empacotamento :tubo
Categoria :componentes eletrônicos
Família :Microplaqueta DDR2 SDRAM da GOLE CI
Subcategoria :Chip de memória IC
Estado sem chumbo :Sem chumbo / compatível com RoHS, compatível com RoHS
Descrição :PARALELA 84WBGA DA GOLE 256MBIT DE IC
Montando o tipo :Montagem de superfície
Tipo :56Mbit 16Mx16 1.8V
Pacote :WBGA de 84 pinos
Variação da temperatura :-40 a +85
Resíduos :Em estoque
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W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

Chip DRAM DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

1. DESCRIÇÃO GERAL

O W9725G6KB é um SDRAM DDR2 de 256M bits, organizado como 4.194.304 palavras  4 bancos  16 bits.Este dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066Mb/sec/pin (DDR2-1066) para aplicações gerais.W9725G6KB é classificado nas seguintes classes de velocidade: -18, -25, 25I e -3.As peças de grau -18 estão em conformidade com a especificação DDR2-1066 (7-7-7).As peças de grau -25 e 25I são compatíveis com a especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (as peças de grau industrial 25I com garantia de suporte a -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).As peças de grau -3 estão em conformidade com a especificação DDR2-667 (5-5-5).Todas as entradas de controle e endereço são sincronizadas com um par de relógios diferenciais fornecidos externamente.As entradas são travadas no ponto de cruzamento dos relógios diferenciais (CLK subindo e CLK caindo).Todas as E/Ss são sincronizadas com um único DQS ou par diferencial DQS-DQS de forma síncrona de origem.

2. CARACTERÍSTICAS  Fonte de alimentação: VDD, VDDQ = 1,8 V ± 0,1 V  Arquitetura Double Data Rate: duas transferências de dados por ciclo de clock  Latência CAS: 3, 4, 5, 6 e 7  Comprimento de Burst: 4 e 8  Bi strobes de dados diferenciais direcionais (DQS e DQS) são transmitidos/recebidos com dados  Alinhados na borda com dados de leitura e alinhados no centro com dados de gravação  DLL alinha as transições DQ e DQS com clock  Entradas de clock diferenciais (CLK e CLK)  Máscaras de dados (DM) para gravação de dados  Comandos inseridos em cada borda CLK positiva, dados e máscara de dados são referenciados a ambas as bordas do DQS  Latência aditiva programável CAS postada suportada para tornar o comando e a eficiência do barramento de dados  Latência de leitura = Latência aditiva mais CAS Latência (RL = AL + CL)  Ajuste de impedância Off-Chip-Driver (OCD) e On-Die-Termination (ODT) para melhor qualidade de sinal  Operação de pré-carga automática para rajadas de leitura e gravação  Modos de atualização automática e atualização automática  Desligamento pré-carregado e desligamento ativo  Máscara de dados de gravação  Latência de gravação = leitura Latency - 1 (WL = RL - 1)  Interface: SSTL_18  Embalado em WBGA 84 Ball (8x12,5 mm2 ), usando materiais sem chumbo com conformidade com RoHS.

Informações relacionadas ao dispositivo:

TEMPERATURA DE OPERAÇÃO DO GRAU DE VELOCIDADE NÚMERO DA PEÇA
W9725G6KB-18 DDR2-1066 (7-7-7) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W9725G6KB-25 DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C
W9725G6KB25I DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C
W9725G6KB-3 DDR2-667 (5-5-5) 0°C ≤ TCASE ≤ 85°C

Classificações Ambientais e de Exportação
ATRIBUTO DESCRIÇÃO
Status RoHS Compatível com ROHS3
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) 3 (168 Horas)
ECCN EAR99
HTSUS 8542.39.0001


W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

W9725G6KB-25 DRAM ic Chip DDR2 SDRAM 256 Mbit 16 Mx16 1,8 V 84 pinos WBGA

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