IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/Retificador Internacional IOR HEXFET MOSFET Canal N 55V 30A DPAK Produtos semicondutores discretos
N-Channel 55 V 30A (Tc) 120W (Tc) Montagem em Superfície D-Pak
Descrição
Este HEXFET® Power MOSFET utiliza as mais recentes técnicas de processamento para obter uma resistência extremamente baixa por área de silício.
As características adicionais deste produto são uma temperatura de operação de junção de 175°C, velocidade de comutação rápida e classificação de avalanche repetitiva aprimorada.Esses recursos se combinam para tornar este projeto um dispositivo extremamente eficiente e confiável para uso em uma ampla variedade de aplicações.
Recursos :
Tecnologia de Processo Avançada Resistência Ultra Baixa 175°C Temperatura de Operação Troca Rápida Avalanche Repetitiva Permitida até Tjmax D-Pak IRLR3915PbF I-Pak IRLU3915PbF Lea
Especificações Técnicas do Produto
| Número da peça |
IRLR3915TRPBF |
| Número da peça básica |
IRLR3915 |
| RoHS da UE |
Em conformidade com a isenção |
| ECCN (EUA) |
EAR99 |
| Status da peça |
Ativo |
| HTS |
8541.29.00.95 |
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Categoria
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Produtos de semicondutores discretos
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Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
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Mfr
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Series
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HEXFET®
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Pacote
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Status da peça
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Tipo FET
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Tecnologia
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Tensão de drenagem para a fonte (Vdss)
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Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
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Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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Vgs(th) (Max) @ Id
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Carga Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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Vgs (Máx.)
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Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds
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Recurso FET
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Dissipação de Energia (Máx.)
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Temperatura de operação
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Tipo de montagem
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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Pacote / Estojo
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TO-252-3, DPak (2 derivações + guia), SC-63
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Número do produto base
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IRLR3915
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