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IHW30N160R2 Transistores IGBTs H30R1602 Série de comutação suave Semicondutores de potência IC IHW30N160R2FKSA1Série de comutação suave
Formulários:
• Cozimento Indutivo
• Aplicativos de comutação suave
Descrição:
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT com diodo de corpo monolítico
Recursos:
• Diodo de corpo monolítico poderoso com tensão direta muito baixa
• O diodo do corpo prende as tensões negativas
• A tecnologia Trench and Fieldstop para aplicações de 1600 V oferece:
- distribuição de parâmetros muito apertada
- alta robustez, comportamento estável à temperatura
• A tecnologia NPT oferece fácil capacidade de comutação paralela devido a
coeficiente de temperatura positivo em VCE(sat)
• Baixa EMI
• Qualificado de acordo com JEDEC1
para aplicativos de destino
• Chapeamento de chumbo sem Pb;Compatível com RoHS
Especificação: IGBT NPT, Parada de Campo de Trincheira 1600 V 60 A 312 W Orifício de Passagem PG-TO247-3-1
Número da peça | IHW30N160R2 |
Categoria
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Produtos de semicondutores discretos
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Transistores - IGBTs - Simples
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Series
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TrenchStop®
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Pacote
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Tubo
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Tipo IGBT
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NPT, Parada de Campo de Trincheira
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Voltagem - Avaria do Emissor do Coletor (Máx.)
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1600 V
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Corrente - Coletor (Ic) (Máx.)
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60A
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Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
|
90A
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Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
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2,1 V @ 15 V, 30 A
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Potência - Máx.
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312 W
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Energia de comutação
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4,37mJ
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Tipo de entrada
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Padrão
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Taxa de Portão
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94 nC
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Td (ligado/desligado) @ 25°C
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-/525ns
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Condição de teste
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600V, 30A, 10Ohm, 15V
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Temperatura de operação
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-40°C ~ 175°C (TJ)
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Tipo de montagem
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Através do orifício
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Pacote / Estojo
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TO-247-3
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Pacote de dispositivos do fornecedor
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PG-TO247-3-1
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ATRIBUTO | DESCRIÇÃO |
---|---|
Status RoHS | Compatível com ROHS3 |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL) | 1 (Ilimitado) |
Status do ALCANCE | REACH não afetado |
ECCN | EAR99 |
HTSUS |
8541.29.0095 |
Número da peça | IHW30N160R2FKSA1 |
Número da peça básica | IHW30N160R2 |
RoHS da UE | Em conformidade com a isenção |
ECCN (EUA) | EAR99 |
Status da peça | Ativo |
HTS | 8541.29.00.95 |