AT45DB641E AT45DB641E-SHN2B-T AT45DB641E-MHN2 B-T Adesto Technologies NEM de IC da memória Flash componentes

AT45DB641E-SHN2 B-T Adesto Technologies NEM de IC da memória Flash componentes

Memória Flash IC 64Mb de AT45DB641E-SHN2B-T IC (256 páginas) dos bytes x 32K SPI 85 megahertz 8-SOIC

64-Mbit DataFlash (com 2-Mbits extra), memória Flash de série mínima de 1.7V SPI

FLASH 64MBIT SPI 85MHZ 8UDFN DE AT45DB641E-MHN2B-T IC

NEM flash 64 Mbit, largamente Vcc (1.7V a 3.6V), -40C a 85C, modo de página binário de 512 bytes, DFN 5x6 (fita & carretel), único SPI DataFlash

Descrição de AT45DB641E:

O AT45DB641E é um mínimo 1.7V, uma memória Flash de acesso sequencial da de série-relação serida idealmente para uma grande variedade de voz digital, uma imagem, um código do programa, e umas aplicações do armazenamento de dados. O AT45DB641E igualmente apoia a relação de série da corredeira para as aplicações que exigem a operação muito de alta velocidade. Seus 69.206.016 bocados da memória são organizados como 32.768 páginas de 256 bytes ou de 264 bytes cada um. Além do que a memória central, o AT45DB641E igualmente contém dois amortecedores de SRAM de 256/264 dos bytes cada um. Intercalar entre ambos os amortecedores pode dramaticamente aumentar a capacidade de um sistema para escrever um córrego de dados contínuos. Além, os amortecedores de SRAM podem ser usados como a memória adicional da almofada de risco do sistema, e a emulation de E2PROM (mutabilidade do bocado ou do byte) pode facilmente ser segurada com uns três que independentes a etapa ler-alterar-escreve a operação. Ao contrário das memórias Flash convencionais que são alcançadas aleatoriamente com linhas múltiplas do endereço e uma relação paralela, o DataFlash® usa uma relação de série para alcançar sequencialmente seus dados. O acesso sequencial simples dramaticamente reduz a contagem de pino ativa, facilita a disposição simplificada do hardware, aumenta a confiança de sistema, minimiza o ruído de comutação, e reduz o tamanho do pacote. O dispositivo é aperfeiçoado para o uso em muitas aplicações comerciais e industriais onde o alto densidade, a contagem do baixo-pino, de baixa voltagem, e baixa potência são essenciais. Para permitir o re-programmability simples do em-sistema, o AT45DB641E não exige altas tensões da entrada programando. O dispositivo opera-se de um único 1.7V à fonte de alimentação 3.6V para apaga e programa e lê operações. O AT45DB641E é permitido através do pino de Chip Select (CS) e alcançado através de uma relação de 3 fios que consiste na entrada de série (SI), na saída de série (ASSIM), e no pulso de disparo de série

Características:

Único 1.7V - fonte 3.6V

O  compatível periférico de série da relação (SPI) apoia os modos 0 e 3 de SPI

Operação de RapidS™ dos apoios

Capacidade lida contínua com a disposição inteira

Até o  85MHz a baixa potência leu a opção até 15MHz

tempo da Pulso de disparo-à-saída (tevê) do máximo 8ns

Tamanho de página configurável do usuário

256 bytes pela página

264 bytes pela página (defeito)

O tamanho de página pode ser fábrica pre-configurada para 256 bytes

Dois amortecedores de dados totalmente independentes de SRAM (256/264 dos bytes)

Allows que recebe dados ao reprogramming a disposição da memória central

Opções de programação flexíveis

Byte/programa da página (1 256/264 dos bytes) diretamente na memória central

O amortecedor escreve | Amortecedor ao programa da página da memória central

Flexível apague opções a página do  que apaga (256/264 dos bytes)

O bloco apaga o setor do  (2KB) apaga o  (256KB) Chip Erase (64-Mbits)

Programa e para apagar suspender/resumo

Características de proteção de dados avançadas do hardware e do software

Lockdown individual do setor do  individual da proteção do setor para fazer algum setor permanentemente de leitura apenas

128-byte, único registro programável da segurança (OTP)

fábrica de 64 bytes programada com um identificador original

o hardware e o software programáveis do  do usuário de 64 bytes controlaram opções restauradas

A identificação padrão do fabricante e do dispositivo de JEDEC leu

Dissipação da baixa potência

corrente Ultra-profunda do poder-Para baixo 400nA (típica)

corrente profunda do poder-Para baixo 5µA (típica)

atual 25µA à espera (típico)

7mA ativo leu atual (típico)

Resistência: 100.000 programas/apagam ciclos pelo mínimo da página

Retenção dos dados: 20 anos

Cumpre com a variação da temperatura industrial completa

Opções de empacotamento do verde (Pb/Halide-free/RoHS complacente)

 8-pad DFN Ultra-fino de 8-lead SOIC (0,208" largamente) (5 x 6 x 0.6mm)

8-pad DFN Muito-fino (6 x 8 x 1.0mm)

dBGA 44-ball (6 x disposição alterada 8 da bola)

Tecnologias de Adesto NEM especificação de IC do circuito integrado da memória Flash:

Tecnologias similares de IC Adesto do circuito integrado do SEMICONDUTOR do DIÁLOGO:

AT45DB641E, AT45DB641E-SHN2B-T, AT45DB641E-MHN2B-T, AT45DB641E-MWHN2B-T, AT45DB641E-UUN2B-T, AT45DB641E-SHN-B, AT45DB641E-SHN-T, AT45DB641E-MHN-Y, AT45DB641E-MHN-T, AT45DB641E-MWHN-Y, AT45DB641E-MWHN-T, AT45DB641E-UUN-T, AT45DB641E-DWF, EM 45DB641E-SHN2B-B

Número da peça mais popular de IC do circuito integrado: