Memória Bytewide monolítica de IC 64KB FM1608-120 Fram da memória Flash

FM1608-120 - RAMTRON INTERNACIONAL CORPORAÇÕ - MEMÓRIA BYTEWIDE DE 64KB FRAM

Detalhe rápido:

memória Bytewide de 64Kb FRAM

Descrição:

O FM1608 é uma memória permanente de 64 kilobit que emprega um processo ferroelectric avançado. Uma memória de acesso aleatório ou um FRAM ferroelectric são

permanente mas opera-se em outros respeitos como RAM. Fornece a retenção dos dados por 10 anos ao eliminar os interesses da confiança, as desvantagens funcionais e as complexidades do projeto de sistema de SRAM bateria-suportado. Seu rapidamente para escrever e escrever altamente a resistência para fazê-la superior a outros tipos de memória permanente.

a operação do Em-sistema do FM1608 é muito similar ao outro RAM baseou dispositivos. A memória lida e os writecycles exigem épocas iguais. A memória de FRAM, contudo, é permanente devido a seu processo ferroelectric original da memória. Ao contrário de BBSRAM, o FM1608 é uma memória permanente verdadeiramente monolítica. Fornece os mesmos benefícios funcionais de um rápido escreve sem as desvantagens sérias associadas com os módulos e

baterias ou soluções híbridas da memória.

Estas capacidades fazem o ideal FM1608 para a exigência das aplicações da memória permanente frequente ou rápido escreve em um ambiente bytewide. A disponibilidade de um pacote verdadeiro da superfície-montagem melhora o manufacturability de projetos novos, quando o pacote do MERGULHO facilitar retrofits do projeto simples. O FM1608 oferece a operação garantida sobre uma variação da temperatura industrial de -40°C a +85°C.

Aplicações:

64K mordeu RAM permanente Ferroelectric

· Organizado como 8.192 x 8 bocados

· A resistência que alta 10 bilhões (1010) leem/escrevem

· retenção de 10 dados do ano em 85° C

· NoDelay™ escreve

· Processo ferroelectric da alto-confiança avançada

Superior aos módulos de BBSRAM

· Nenhuns interesses da bateria

· Confiança monolítica

· Solução de superfície verdadeira da montagem, nenhumas etapas do rework

· Superior para a umidade, o choque, e a vibração

· Resistente aos undershoots negativos da tensão

SRAM & EEPROM compatíveis

· Pinout de JEDEC 8Kx8 SRAM & de EEPROM

· tempo de acesso de 120 ns

· tempo de ciclo de 180 ns

· O tempo da igualdade de acesso & de ciclo para lê e escreve

Operação da baixa potência

· corrente ativa de 15 miliampère

· corrente à espera de 20 miliampère

Configuração do padrão do setor

· Temperatura industrial -40° C a +85° C

· CONCESSÃO ou MERGULHO de 28 pinos

Especificações: