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canal IRFB38N20DPBF 3.8W 300W do transistor de poder SMPS do Mosfet de 43A 200v n

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Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJack
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canal IRFB38N20DPBF 3.8W 300W do transistor de poder SMPS do Mosfet de 43A 200v n

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Number modelo :IRFB38N20DPBF
Lugar de origem :Fabricante original
Quantidade de ordem mínima :Quantidade de ordem mínima: 10 PCS
Termos do pagamento :T/T adiantado, Western Union, Xtransfer
Capacidade da fonte :1000
Prazo de entrega :Dentro de 3days
Detalhes de empacotamento :Empacotamento padrão
Fabricante Part Number :IRFB38N20DPBF
Tipo :circuito integrado
C.C. :Lastest novo
Prazo de execução :dias 1-3working
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MOSFET do CANAL SMPS do TRANSISTOR de PODER IRFB38N20DPBF do MOSFET de 200V 43A 3.8W 300W n

 

Tipo do FET: N-canal Drene à tensão da fonte: 200V
Atual - dreno contínuo: 43A Tensão da movimentação: 10V
Luz alta:

transistor do mosfet do poder superior

,

transistor do mosfet do canal de n

 

 

N-canal 200V 43A 3.8W 300W de IRFB38N20DPBF através do MOSFET do furo TO-220AB SMPS

Aplicações
l conversores de alta frequência de DC-DC
l TO-220 está disponível em PbF como sem chumbo
Benefícios
l baixa carga do Porta-à-dreno para reduzir-se comutar perdas
l caracterizou inteiramente a capacidade que inclui COSS eficaz para simplificar o projeto, (SeeApp. Nota AN1001)
l caracterizou inteiramente a tensão e a corrente de avalancha

 

Tipo do FET N-canal  
Tecnologia MOSFET (óxido de metal)  
Drene à tensão da fonte (Vdss) 200V  
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C 43A (Tc)  
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs 54 mOhm @ 26A, 10V  
Identificação de Vgs (th) (máximo) @ 5V @ 250µA  
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs 91nC @ 10V  
Vgs (máximo) ±20V  
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds 2900pF @ 25V  
Característica do FET -  
Dissipação de poder (máxima) 3.8W (Ta), 300W (Tc)  
Temperatura de funcionamento -55°C ~ 175°C

 

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