ÚNICO TRANSISTOR de PODER DE ALTA TENSÃO SIHB22N60E do MOSFET - PACOTE D2PAK de E3 600V 21A
| Tipo do FET: |
N-canal |
Temperatura de funcionamento: |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| Pacote: |
TO263-3 D2PAK |
| Luz alta: |
transistor do mosfet do canal de n, transistor do canal de n
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Único transistor de poder de alta tensão SIHB22N60E do Mosfet - pacote D2PAK de E3 600V 21A
MOSFETS DO N-CANAL DE MSL 1 ÚNICOS
Especificações técnicas do produto
| Fabricante |
Vishay Siliconix |
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| Série |
- |
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| Empacotamento |
Tubo |
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| Estado da parte |
Ativo |
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| Tipo do FET |
N-canal |
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| Tecnologia |
MOSFET (óxido de metal) |
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| Drene à tensão da fonte (Vdss) |
600V |
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| Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C |
21A (Tc) |
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| Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On) |
10V |
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| RDS (máximo) @ na identificação, Vgs |
180 mOhm @ 11A, 10V |
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| Identificação de Vgs (th) (máximo) @ |
4V @ 250µA |
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| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs |
86nC @ 10V |
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| Vgs (máximo) |
±30V |
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| Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds |
1920pF @ 100V |
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| Característica do FET |
- |
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| Dissipação de poder (máxima) |
227W (Tc) |
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| Temperatura de funcionamento |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Montando o tipo |
Montagem de superfície |
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| Pacote do dispositivo do fornecedor |
D2PAK |
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| Pacote/caso |
TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB |
| OPA2107AU/2K5 |
SI |
PTH05050WAZ |
SI |
| THCV231-3L/CD |
SI |
TMS320DM8168CCYG2 |
SI |
| THC63LVD1024-1LTN |
SI |
PTH08T231WAD |
SI |
| TMS320F28035PNT |
SI |
TPS65920A2ZCHR |
SI |
| INA126PA |
SI |
LMH0344SQ/NOPB |
SI |
| TPS73533DRBR |
SI |
AD5412AREZ-REEL7 |
SI |
| TPS54319RTER |
SI |
ADS1241E/1K |
SI |
| IC12715001 |
SI |
TL16C552AFNR |
SI |
| THCV235-TB |
SI |
PGA204AU/1K |
SI |
| THCV236-ZY |
SI |
ADS8505IDWR |
SI |
| ADS8326IDGKR |
SI |
TMS320LF2407APGEA |
SI |
| ADS7816U/2K5 |
SI |
AM3703CUSD100 |
SI |
| DAC7558IRHBR |
SI |
TMS320DM8148CCYEA0 |
SI |
| ADSP-21489KSWZ-4B |
SI |
LMZ23610TZE/NOPB |
SI |
| TPS75801KTTR |
SI |
TPS2115ADRBR |
SI |
