Tecnologia Co. de Shenzhen Huahao Gaosheng, Ltd

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Microplaqueta componente eletrônica de IC dos circuitos integrados do MOSFET do canal de IRF3710PBF 1 N

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Tecnologia Co. de Shenzhen Huahao Gaosheng, Ltd
Cidade:shenzhen
País / Região:china
Pessoa de contato:MrJack
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Microplaqueta componente eletrônica de IC dos circuitos integrados do MOSFET do canal de IRF3710PBF 1 N

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Number modelo :IRF3710PBF
Lugar de origem :Fabricante original
Quantidade de ordem mínima :Quantidade de ordem mínima: 100 PCS
Termos do pagamento :T/T adiantado, Western Union, Xtransfer
Capacidade da fonte :10Kpcs
Prazo de entrega :Dentro de 3days
Detalhes de empacotamento :Empacotamento padrão
Tipo :Componente eletrônico
Número da peça :IRF3710PBF
Porto :shenzhen ou Hong Kong
prazo de execução :dias 1-3working
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OS CIRCUITOS INTEGRADOS BRANDNEW E ORIGINAIS DO COMPONENTE ELETRÔNICO DE IRF3710PBF LASCAM IC

 

Categoria de produto: MOSFET  
RoHS: Detalhes  
Tecnologia: Si  
Montando o estilo: Através do furo  
Pacote/caso: TO-220-3  
Polaridade do transistor: N-canal  
Número de canais: 1 canal  
Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 100 V  
Identificação - corrente contínua do dreno: 57 A  
RDS - na resistência da Dreno-fonte: 23 mOhms  
Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V  
Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 4 V  
Qg - carga da porta: 86,7 nC  
Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C  
Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C  
Paládio - dissipação de poder: 200 W  
Modo do canal: Realce  
Empacotamento:    
Tipo:    
Configuração: Único  
Altura: 15,65 milímetros  
Comprimento: 10 milímetros  
Tipo de produto: MOSFET  
  1000  
Subcategoria: MOSFETs  
Tipo do transistor: 1 N-canal  
Largura: 4,4 milímetros  
Parte # pseudônimos: IRF3710PBF SP001551058  
Peso de unidade: 0,068784 onças
 
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