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8 memória Flash eletrônica do NAND da relação do I/O dos circuitos integrados ×8 da CCE do bocado do Gb 1

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:Mr段
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8 memória Flash eletrônica do NAND da relação do I/O dos circuitos integrados ×8 da CCE do bocado do Gb 1

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Número de modelo :S34ML08G101TFI000
Lugar de origem :Tailândia
Quantidade de ordem mínima :960pcs
Termos do pagamento :T/T.
Capacidade da fonte :9600PCS/1WEEK
Tempo de entrega :1 semana
Detalhes de empacotamento :960pcs/box
Não dos pinos :48
Portador do pacote :bandeja
Densidade (Gbit) :8
D/C :19+
SPQ :960pcs
Interface :ONFI 1,0
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8 Gb, 1 CCE do bocado, ×8 I/O, 3 V VCC, memória Flash do NAND para encaixado

 

Descrição geral
O Cypress S34ML08G1 8-Gb NAND é oferecido 3,3 na relação do I/O de VCCwith x8. Este documento contém a informação para
S34ML08G1 o dispositivo, que é uma pilha do duplo-dado de dois S34ML04G1 morre. Para especificações detalhadas, refira por favor o discreto morrem
folha de dados: S34ML04G1.
Características distintivas
densidade do 
– 8 Gb (4 Gb de  2)
arquitetura do  (para cada dispositivo de 4 Gb)
– Largura do ônibus do entrada/saída: 8 bocados
– Tamanho de página: (2048 + 64) bytes; 64 bytes são área de reposição
– Tamanho de bloco: 64 páginas ou (128k + 4k) bytes
– Tamanho plano
– 2048 blocos por bytes de Planeor (256M + 8M)
– Tamanho do dispositivo
– 2 planos pelo dispositivo ou os 512 Mbyte
relação do flash do NAND do 
– Relação aberta (ONFI) 1,0 do flash do NAND complacente
– Endereço, dados e comandos multiplexados
tensão de fonte do 
– Dispositivo de 3,3 V: Vcc = 2,7 V ~ 3,6 V
segurança do 
– Uma área programável de (OTP) do tempo
– Programa/erase do hardware desabilitado durante a transição do poder
características adicionais do 
– Comandos do programa e do Erase de Multiplane dos apoios
– Programa da parte traseira da cópia dos apoios
– Programa da parte traseira da cópia de Multiplane dos apoios
– Os apoios leram o esconderijo
assinatura eletrônica do 
– Identificação do fabricante: 01h
temperatura de funcionamento do 
– Industrial: °C do  40 ao °C 85
– Automotivo: °C do  40 ao °C 105
Desempenho
página do  lida/programa
– De acesso aleatório: 25 µs (máximos)
– Acesso sequencial: 25 ns (minuto)
– Tempo do programa/tempo de MultiplaneProgram: 200 µs (tipo)
Erase do bloco do /Erase de Multiplane (S34ML04G1)
– Tempo do Erase do bloco: Senhora 3,5 (tipo)
confiança do 
– 100.000 programas/Erase dão um ciclo (o tipo)
(com 1 bocado/uma CCE 512 + 16 bytes)
– Retenção de 10 dados do ano (tipo)
– Os blocos zero e um são válidos e serão validfor pelo menos
programa-erasecycles 1000 com CCE
opções do pacote do 
– Halogênio sem chumbo e baixo
–  do  20 de 48-Pin TSOP 12 1,2 milímetros
– 63-Ball BGA 9 *11*1mm

 

Q1. Que é seus termos da embalagem?

A: Geralmente, nós embalamos nossos bens em umas caixas brancas neutras e em umas caixas marrons. Se você registrou legalmente a patente, nós podemos embalar os bens em suas caixas marcadas após ter recebido suas letras da autorização.

 

Q2. Que é seu MOQ?

A: Nós fornecemos-lhe MOQ pequeno para cada artigo, ele dependemos sua ordem específica!

 

Q3. Você testa ou verifica todos seus bens antes da entrega?

A: Sim, nós temos o teste de 100% e verificamos todos os bens antes da entrega.

 

Q4: Como você faz nosso negócio relacionamento a longo prazo e bom?

Nós mantemos a boa qualidade e o preço competitivo para assegurar nossos clientes beneficia-se;

Nós respeitamos cada cliente como nossos amigo e nós sinceramente fazemos o negócio e fazemos amigos com eles, ele não somos algo que pode ser substituído.

 

Q5: Como nos contactar?
A: Envie seus detalhes no abaixo, clique do inquérito “enviam " agora!!!

 

8 memória Flash eletrônica do NAND da relação do I/O dos circuitos integrados ×8 da CCE do bocado do Gb 1

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