Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Tecnologia Co. de Shenzhen Hongxinwei, Ltd Para adotar a nova tecnologia, para produzir produtos da qualidade, para oferecer o serviço de primeira classe.

Manufacturer from China
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MT41K512M16HA-125: Uma memória de acesso aleatório dinâmica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Cidade:shenzhen
Província / Estado:guangdong
País / Região:china
Pessoa de contato:Mr段
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MT41K512M16HA-125: Uma memória de acesso aleatório dinâmica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

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Número de modelo :MT41K512M16HA-125: A
Lugar de origem :HONG KONG
Quantidade de ordem mínima :10pcs
Termos do pagamento :T/T, Western Union
Capacidade da fonte :60000PCS/WEEK
Prazo de entrega :2-3days
Detalhes de empacotamento :2000PCS/package
Tipo de produto :Memória de acesso aleatório dinâmica
Tipo :SDRAM-DDR3L
Estilo da instalação :SMD/SMT
Pacote/caixa :FBGA-96
Largura do ônibus de dados :bocado 16
Organização :512 M x 16
Capacidade de armazenamento :8 Gbit
Fonte de alimentação tensão-máxima :1,45 V
Tensão-mínimo da fonte :1,283 V
Atual-máximo da fonte :88 miliampères
Pacote :BANDEJA
Quantidade de embalagem da fábrica :170
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A descrição funcional DDR3 SDRAM usa uma arquitetura dobro da taxa de dados para conseguir a operação de alta velocidade. A arquitetura dobro da taxa de dados é uma arquitetura 8n-prefetch com uma relação projetada transferir duas palavras de dados pelo ciclo de pulso de disparo nos pinos do I/O. Única lida ou para escrever a operação para o DDR3 SDRAM consiste eficazmente em um único 8n-bit-wide, em transferência de dados do four-clockcycle no núcleo interno da GOLE e oito na correspondência n-bocado-larga, transferências de dados do um meio-pulso de disparo-ciclo nos pinos do I/O. O estroboscópio diferencial dos dados (DQS, DQS#) é transmitido externamente, junto com dados, para o uso na captação de dados no receptor da entrada de DDR3 SDRAM. DQS centro-é alinhado com os dados para WRITEs. Os dados lidos são transmitidos pelo DDR3 SDRAM e borda-alinharam aos estroboscópios dos dados. O DDR3 SDRAM opera-se de um pulso de disparo diferencial (CK e CK#). O cruzamento das CK que vai ALTAMENTE e do CK# que vai BAIXO é referido como a borda positiva das CK. O controle, o comando, e os sinais do endereço são registrados em cada borda positiva das CK. Os dados entrados são registrados na primeira borda de aumentação de DQS após ESCREVEM o preâmbulo, e os dados de saída são providos na primeira borda de aumentação de DQS após o preâmbulo LIDO. Lido e para escrever os acessos ao DDR3 SDRAM explosão-são orientados. Os acessos começam em um lugar selecionado e continuam para um número programado de lugar em uma sequência programada. Os acessos começam com o registro do ATIVAM o comando, que então é seguido por uma LIDA ou ESCREVE o comando. Os bocados do endereço registraram coincidente com ATIVAM o comando são usados para selecionar o banco e a fileira a ser alcançados. Os bocados do endereço registraram coincidente com LIDA ou ESCREVEM comandos são usados para selecionar o banco e o lugar começando da coluna para o acesso estourado. O dispositivo usa LIDA e ESCREVE BL8 e BC4. Uma auto função da pré-carga pode ser permitida de fornecer uma pré-carga auto-programada da fileira que seja iniciada no fim do acesso estourado. Como com RDA padrão SDRAM, canalizada, arquitetura do multibank de DDR3 SDRAM permite a operação simultânea, desse modo fornecendo a largura de banda alta na pré-carga da fileira e o tempo escondendo da ativação. Um auto refresca o modo é fornecido, junto com uma poder-economia, modo do poder-para baixo. A temperatura industrial o dispositivo industrial da temperatura (a TI) exige que a temperatura de caso não exceder – as especificações de 40°C ou de 95°C. JEDEC exigem refrescam a taxa para dobrar quando o TC excede 85°C; isto igualmente exige o uso do auto de alta temperatura refrescar a opção. Adicionalmente, a resistência de ODT e a impedância do entrada/saída devem ser derated quando o TC é < 0="">as notas 95°C. gerais • A funcionalidade e as especificações do sincronismo discutidas nesta folha de dados são para o DLL permitem o modo de operação (operação normal). • Durante todo esta folha de dados, as vários figuras e texto referem DQs como “DQ.” DQ deve ser interpretada coletivamente como alguns e todo o DQ, a menos que indicado especificamente de outra maneira. • Os termos “DQS” e “CK” encontraram durante todo esta folha de dados devem ser interpretada como DQS, DQS# e CK, CK# respectivamente, a menos que indicados especificamente de outra maneira

MT41K512M16HA-125: Uma memória de acesso aleatório dinâmica DDR3 0C-90C de 8G 1.35V 512Mx16 800MHz

Q1. Que é seus termos da embalagem?

: Geralmente, nós embalamos nossos bens em umas caixas brancas neutras e em umas caixas marrons.

Se você registrou legalmente a patente, nós podemos embalar os bens em suas caixas marcadas após ter recebido suas letras da autorização.

 

Q2. Que é seu MOQ?

: Nós fornecemos-lhe MOQ pequeno para cada artigo, ele dependemos sua ordem específica!

 

Q3. Você testa ou verifica todos seus bens antes da entrega?

: Sim, nós temos o teste de 100% e verificamos todos os bens antes da entrega.

 

Q4: Como você faz nosso negócio relacionamento a longo prazo e bom?

Nós mantemos a boa qualidade e o preço competitivo para assegurar nossos clientes beneficia-se;

Nós respeitamos cada cliente porque nossos amigo e nós sinceramente para fazer o negócio e fazer amigos com eles, ele não somos algo que pode ser substituído.

 

Q5: Como nos contactar?
: Envie seus detalhes no abaixo, clique do inquérito “enviam " agora!!!

 

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