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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

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China Triode 200mW do MOSFET do canal do silicone N de BF999 E6327 RF wholesale

Triode 200mW do MOSFET do canal do silicone N de BF999 E6327 RF

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Number modelo :BF999 E6327

Lugar de origem :China

Quantidade de ordem mínima :10pcs

Termos do pagamento :T/T, Western Union

Capacidade da fonte :12000PCS/WEEK

Prazo de entrega :2-3days

Detalhes de empacotamento :3000PCS/REEL

Polaridade do transistor :N-canal

Tecnologia :Si

Identificação - corrente contínua do dreno :30 A

Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte :20 V

Temperatura de funcionamento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamento máximo :+ 150 C

Altura :1 milímetro

Comprimento :2,9 milímetros

LARGURA :1,3 milímetros

Paládio - dissipação de poder :200mW

Vgs - tensão da Porta-fonte :6,5 V

Quantidade do bloco da fábrica :3000

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Triode do MOSFET do N-canal do silicone dos transistor do MOSFET de FB 999 E6327 RF

Triode do MOSFET do N-canal 1.Silicon

Para fases de alta frequência até 300 megahertz preferivelmente em aplicações de FM
• (RoHS complacente) package1 Pb-livres)

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