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LVL do log do MOSFET MOSFT P-Ch -30V -3A 98mOhm 9.5nC de IRLML5203TRPBF Infineon/IR
baixa Em-resistência 1.Ultra
MOSFET do P-canal
Montagem de superfície
Disponível na fita & no carretel
Baixa carga da porta
Sem chumbo
RoHS complacente, Halogênio-livre
2.Description
Estes MOSFETs do P-canal retificador internacional das técnicas de processamento utilizeadvanced para conseguir extremamente a lowon-resistência pela área do silicone. Este benefício fornece o thedesigner um dispositivo extremamente eficiente para o uso em aplicações da gestão da carga do batteryand.
Um grande leadframe termicamente aumentado da almofada beenincorporated no pacote SOT-23 padrão para produzir o MOSFET do poder do aHEXFET com a pegada a menor da indústria. Este pacote, dublou o Micro3TM, é ideal para a placa que de circuito impresso do applicationswhere o espaço está em um prêmio. O lowprofile (<1>
3.