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1.Características
100% testado contra avalanches
Baixa capacitância de entrada e carga de porta
Baixa resistência de entrada do portão
2.Descrição
Esses Power MOSFETs de canal N são desenvolvidos usando a revolucionária tecnologia MDmesh da STMicroelectronics, que associa o processo de drenagem múltipla com o layout horizontal PowerMESH da empresa.Esses dispositivos oferecem resistência extremamente baixa, alto dv/dt e excelentes características de avalanche.Utilizando a técnica de tira proprietária da ST, esses Power MOSFETs apresentam um desempenho dinâmico geral que é superior a produtos similares no mercado
3. Aplicações
Troca de aplicativos