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Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd

Cidade:shenzhen

Província / Estado:guangdong

País / Região:china

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China Transistor 1200V DC-1 quilohertz de AUIRG4PH50S Infineon IGBT (STD) AUTO IGBT DISCRETO wholesale

Transistor 1200V DC-1 quilohertz de AUIRG4PH50S Infineon IGBT (STD) AUTO IGBT DISCRETO

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Number modelo :AUIRG4PH50S

Lugar de origem :Taiwan

Quantidade de ordem mínima :10pcs

Termos do pagamento :T/T, Western Union

Capacidade da fonte :10000pcs/week

Prazo de entrega :2-3days

Detalhes de empacotamento :TUBO 400PCS/BOX

Categoria de produto :Transistor de IGBT

Tecnologia :Si

Montando o estilo :Através do furo

Configuração :Único

Tensão VCEO do emissor do coletor máxima :1,2 kV

Tensão de saturação do Coletor-emissor :1,47 V

Tensão máxima do emissor da porta :- 20 V, + 20 V

Corrente de coletor contínua em 25 C :141 A

Paládio - dissipação de poder :543 W

Temperatura de funcionamento mínima :- 55 C

Temperatura de funcionamento máximo :+ 150 C

Altura :20,7 milímetros

Comprimento :15,87 milímetros

Largura :5,31 milímetros

quantidade de empacotamento da fábrica :400pcs/box

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Transistor 1200V DC-1 quilohertz de AUIRG4PH50S Infineon IGBT (STD) AUTO IGBT DISCRETO

1.FEATURES

Padrão: Aperfeiçoado para a saturação mínima
tensão e baixas frequências de funcionamento (< 1kHz=""> • O projeto da geração 4 IGBT fornece mais apertado
distribuição do parâmetro e eficiência mais alta
• Pacote do padrão do setor TO-247AC
• Sem chumbo
• Automotivo qualificado *

2.BENEFITS

A eficiência a mais alta da oferta da geração 4 IGBT disponível

IGBT aperfeiçoados para condições especificadas da aplicação

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igbt semiconductor

igbt transistor

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