Os materiais cerâmicos de capacidade elevada de nitreto de silicone desenvolvidos para a indústria de alumínio melhoraram significativamente propriedades térmicas e mecânicas do que produtos similares. Nesta base, o dispositivo de aquecimento submerso “alto “em forma de L” da condutibilidade térmica trará o progresso revolucionário ao equipamento industrial de alumínio.
O nitreto de silicone cerâmico transformou-se o material da escolha para o tubo exterior da proteção de calefatores elétricos e de calefatores de gás devido a seu desempenho de alta temperatura excelente.
Devido a suas boa força de alta temperatura e resistência de choque térmico alta, o produto pode suportar a carga térmica do elemento ou do queimador de alta temperatura de aquecimento por muito tempo, e a vida útil é mais de um ano;
Vantagem:
-
Comparado com o método de aquecimento brilhante superior tradicional, a eficiência de poupança de energia alcança 20%-30%, e o superaquecimento e a oxidação do líquido de alumínio superior são evitados eficazmente.
-
A cerâmica do nitreto de silicone reage mal com o alumínio derretido, assim que não poluirá o alumínio derretido, que é benéfico manter a pureza do alumínio derretido caloroso;
O nitreto de silicone relacionou dados
| Componente principal |
99%Al2O3 |
S-SIC |
ZrO2 |
Si3N4 |
Físico
Propriedade |
Densidade |
g/cm3 |
3,9 |
3,1 |
6 |
3,2 |
| Absorção de água |
% |
0 |
0,1 |
0 |
0,1 |
| Temperatura do sedimento |
°C |
1700 |
2200 |
1500 |
1800 |
Mecânico
Propriedade |
Dureza de Rockwell |
Alta tensão |
1700 |
2200 |
1300 |
1400 |
| Força da curvatura |
kgf/mm2 |
3500 |
4000 |
9000 |
7000 |
| Intensidade da compressão |
Kgf/mm2 |
30000 |
20000 |
20000 |
23000 |
Térmico
Propriedade |
Funcionamento máximo
temperatura |
°C |
1500 |
1600 |
1300 |
1400 |
expansão térmica
coeficiente
0-1000°C |
/°C |
8.0*10-6 |
4.1*10-6 (0-500°C) |
9.5*10-6 |
2.0*10-6 (0-500°C) |
| 5.2*10-6 (500-1000°C) |
4.0*10-6 (500-1000°C) |
| Resistência de choque térmico |
T (°C) |
200 |
250 |
300 |
400-500 |
| Condutibilidade térmica |
W/m.k (25°C |
31 |
100 |
3 |
25 |
| 300°C) |
16 |
100 |
3 |
25 |
Elétrico
Propriedade |
Taxa de oposição de volume |
◎.cm |
|
|
|
|
| 20°C |
>1012 |
106-108 |
>1010 |
>1011 |
| 100°C |
1012-1013 |
– |
– |
>1011 |
| 300°C |
>1012 |
– |
– |
>1011 |
Divisão da isolação
Intensidade |
KV/mm |
18 |
semicondutor |
9 |
17,7 |
| Constante dielétrica (1 megahertz) |
(e) |
10 |
– |
29 |
7 |
| Dissipação dielétrica |
(tg o) |
0.4*10-3 |
– |
– |
– |
