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China Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs canalizado síncrono CY7C1312 FBGA165 wholesale

Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs canalizado síncrono CY7C1312 FBGA165

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Number modelo :CY7C1312KV18-300BZXC

Lugar de origem :NC

Quantidade de ordem mínima :10

Termos do pagamento :T/T, L/C, Western Union

Prazo de entrega :5-8 dias do trabalho

Detalhes de empacotamento :FBGA165

Número da peça :CY7C1312KV18-300BZXC

Tamanho da memória :18 Mbits

Organização :1 M x 18

Frequência Máxima do Relógio :300 MHz

Tensão de alimentação - máx. :1,9 V

Tensão de alimentação - Mín. :1,7 V

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Memória IC CY7C1312KV18-300BZXC 1.8V SRAMs síncronos com pipeline CY7C1312 FBGA165

Descrição do produto

CY7C1312KV18-300BZXC é um SRAM Síncrono Pipelined de 1,8 V, equipado com arquitetura QDR II.A arquitetura QDR II consiste em duas portas separadas: a porta de leitura e a porta de gravação para acessar o array de memória.A porta de leitura possui saídas de dados dedicadas para suportar operações de leitura e a porta de gravação possui entradas de dados dedicadas para suportar operações de gravação.A arquitetura QDR II tem entradas e saídas de dados separadas para eliminar completamente a necessidade de 'recuperar' o barramento de dados que existe com dispositivos de E/S comuns.O acesso a cada porta é feito por meio de um barramento de endereço comum.Os endereços para leitura e gravação são travados em bordas de subida alternadas do clock de entrada (K).

Especificação de CY7C1312KV18-300BZXC

Tipo de Memória	Volátil
Formato de memória	SRAM
Tecnologia	SRAM - Síncrono, QDR II
Tamanho da memória	18Mb (1M x 18)
Interface de memória	Paralelo
Frequência do relógio	300 MHz
Tensão - Fornecimento	1,7V ~ 1,9V
Temperatura de operação	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Estojo	165-LBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor	165-FBGA (13x15)

Diagrama de Blocos Lógicos

Características

Portas de dados independentes de leitura e gravação separadas
Suporta transações simultâneas
Relógio de 333 MHz para alta largura de banda
Explosão de duas palavras em todos os acessos
Interfaces de taxa de dados dupla (DDR) nas portas de leitura e gravação (dados transferidos a 666 MHz) a 333 MHz
Dois clocks de entrada (K e K) para temporização DDR precisa
SRAM usa apenas bordas ascendentes
Barramento de entrada de endereço multiplexado único trava entradas de endereço para portas de leitura e gravação
Núcleo VDD = 1,8 V (±0,1 V);E/S VDDQ = 1,4 V para VDD
Suporta alimentação de 1,5 V e 1,8 VI/O
Disponível em pacote FBGA de 165 esferas (13 × 15 × 1,4 mm)

Foto do produto

Perguntas frequentes
P. Seus produtos são originais?
R: Sim, todos os produtos são originais, a nova importação original é o nosso propósito.
P: quais certificados você tem?
R: Somos uma empresa certificada ISO 9001:2015 e membros da ERAI.
P: você pode oferecer suporte a pedidos ou amostras em pequenas quantidades? A amostra é grátis?
R: sim, aceitamos pedidos de amostra e pedidos pequenos. o custo da amostra é diferente de acordo com seu pedido ou projeto.
P: como enviar meu pedido?É seguro?
R: Usamos expresso para enviar, como DHL,Fedex,UPS,TNT,EMS. Também podemos usar o remetente sugerido.
P: e o prazo de entrega?
R: podemos enviar peças em estoque dentro de 5 dias úteis. se não houver estoque, confirmaremos o prazo de entrega para você com base na quantidade do pedido.

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