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Atributo | Atributo Valor |
---|---|
Fabricante | Semicondutor de cipreste |
Categoria de produtos | IC de memória |
Série | CY7C1313KV18 |
Tipo | Sincronizado |
Embalagem | Caixa |
Estilo de montagem | SMD/SMT |
Embalagem | 165-LBGA |
Temperatura de funcionamento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Interface | Paralelo |
Fornecimento de tensão | 1.7 V ~ 1.9 V |
Embalagem do produto do fornecedor | 165-FBGA (13x15) |
Capacidade de memória | 18M (1M x 18) |
Tipo de memória | SRAM - Sincrono, QDR II |
Velocidade | 250 MHz |
Tempo de acesso | 0.45 ns |
Memória de formato | Memória RAM |
Temperatura máxima de funcionamento | + 85 C |
Intervalo de temperatura de funcionamento | - 40 C. |
Tipo de interface | Paralelo |
Organização | 1 M x 18 |
Suporte-corrente-máximo | 440 mA |
Voltagem de alimentação máxima | 1.9 V |
Voltagem de alimentação-min | 1.7 V |
Embalagem | FBGA-165 |
Frequência máxima do relógio | 250 MHz |
Parte do fabricante | Descrição | Fabricante | Comparação |
CY7C1313KV18-250BZC Memória |
QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | Semicondutor de cipreste | CY7C1313KV18-250BZXI versus CY7C1313KV18-250BZC |
CY7C1313KV18-250BZXC Memória |
QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, FBGA-165 | Semicondutor de cipreste | CY7C1313KV18-250BZXI versus CY7C1313KV18-250BZXC |
CY7C1313KV18-250BZI Memória |
QDR SRAM, 1MX18, 0,45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1,40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | Semicondutor de cipreste | CY7C1313KV18-250BZXI versus CY7C1313KV18-250BZI |