Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp

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CY7C1350G-133BGXC IC SRAM 4.5MBIT PAR 119PBGA Cypress Semiconductor Corp

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Número do modelo :CY7C1350G-133BGXC
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Temporário
Formato da memória :SRAM
Tecnologia :SRAM - Síncrono, SDR
Tamanho de memória :4.5Mbit
Organização da memória :128K x 36
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :133 megahertz
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-
Tempo de acesso :4 ns
Voltagem - Fornecimento :3.135V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :119-BGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :119-PBGA (14x22)
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Detalhes do produto

Descrição funcional

A CY7C1350G é uma SRAM de rajada de 3,3 V, 128 K × 36 sincronizada por tubulação projetada especificamente para suportar operações de leitura/gravação verdadeiras e ilimitadas sem a inserção de estados de espera.O CY7C1350G está equipado com a lógica avançada No Bus LatencyTM (NoBLTM) necessária para permitir operações de leitura/escritura consecutivas com dados sendo transferidos em cada ciclo de relógioEsta característica melhora drasticamente a capacidade de transferência da SRAM, especialmente em sistemas que exigem frequentes transições de gravação/leitura.

Características

■ Compatível com pinos e funcionalmente equivalente aos dispositivos ZBTTM
■ Controle interno do buffer de saída auto-temporizado para eliminar a necessidade de utilizar o OE
■ Capacidade de gravação de bytes
■ 128 K × 36 arquitetura comum de E/S
■ 3,3 V de alimentação (VDD)
■ Fornecimento de energia de entrada/saída de 2,5 V / 3,3 V (VDDQ)
■ Tempos rápidos de clock-to-output
¢ 2,8 ns (para dispositivos de 200 MHz)
■ Clock enable (CEN) pin para suspender a operação
■ Escrita sincronizada
■ Ativar a saída assíncrona (OE)
■ Disponível no pacote TQFP de 100 pinos sem Pb, no pacote BGA de 119 bolas sem Pb e sem Pb
■ Capacidade de explosão  ordem de explosão linear ou intercalada
■ Opção de modo de sono ZZ

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos IC de memória
Série NoBLTM
Embalagem Caixa
Embalagem 119-BGA
Temperatura de funcionamento 0°C ~ 70°C (TA)
Interface Paralelo
Fornecimento de tensão 3.135 V ~ 3.6 V
Embalagem do produto do fornecedor 119-PBGA (14x22)
Capacidade de memória 4.5M (128K x 36)
Tipo de memória SRAM - Sincronizado
Velocidade 133 MHz
Memória de formato Memória RAM

Descrições

SRAM - Memória síncrona IC 4.5Mb (128K x 36) Paralela 133MHz 4ns 119-PBGA (14x22)
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