Categorias de Produtos

Unidade do microcontrolador de MCU

[518]

Circuitos integrados da relação

[17]

Microplaqueta de IC do amplificador

[179]

Sincronismo IC do pulso de disparo

[5]

IC por aquisição de dados

[7]

Contate

Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

Visite o site

Cidade:shenzhen

País / Região:china

Pessoa de contato:MissZhao

Ver detalhes de contato

Contate

CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Infineon Technologies

Pergunte o preço mais recente

Número do modelo :CY7C2663KV18-450BZI

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :SRAM

Tecnologia :SRAM - Síncrono, QDR II+

Tamanho de memória :144Mbit

Organização da memória :8M x 18

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :450 MHz

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-

Tempo de acesso :-

Voltagem - Fornecimento :1.7V ~ 1.9V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :165-LBGA

Pacote de dispositivos do fornecedor :165-FBGA (15x17)

Contate

Add to Cart

Ver descrição do produto

Detalhes do produto

Descrição funcional

O CY7C266 é um 8192 palavras de alto desempenho por 8 bits CMOS PROM. Quando deselecionado, o CY7C266 automaticamente liga para um modo de espera de baixa potência.Os pacotes reprogramáveis estão equipados com uma janela de apagamentoAs células de memória utilizam a comprovada tecnologia de porta flutuante EPROM e algoritmos inteligentes de programação de byte.

Características

• CMOS para velocidade/potência ótimas
• Janela para re-programação
• Alta velocidade
¥ 20 ns (comercial)
• Baixa potência
660 mW (comercial)
• Potência em estado de espera muito baixa
¢ Menos de 85 mW quando desmarcado
• Tecnologia EPROM 100% programável
• 5V ± 10% VCC, comercial e militar
• E/S compatível com o TTL
• Substituição directa das EPROM 27C64

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	Semicondutor de cipreste
Categoria de produtos	IC de memória
Série	CY7C2663KV18
Tipo	Sincronizado
Embalagem	Caixa
Estilo de montagem	SMD/SMT
Embalagem	165-LBGA
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	1.7 V ~ 1.9 V
Embalagem do produto do fornecedor	165-FBGA (15x17)
Capacidade de memória	144M (8M x 18)
Tipo de memória	SRAM - Sincronizado, QDR II+
Velocidade	450 MHz
Tempo de acesso	0.45 ns
Memória de formato	Memória RAM
Temperatura máxima de funcionamento	+ 85 C
Intervalo de temperatura de funcionamento	- 40 C.
Tipo de interface	Paralelo
Organização	8 M x 18
Suporte-corrente-máximo	940 mA
Voltagem de alimentação máxima	1.9 V
Voltagem de alimentação-min	1.7 V
Embalagem	FBGA-165
Frequência máxima do relógio	450 MHz

Descrições

SRAM - Memória IC sincronizada QDR II+ de 144 Mb (8M x 18) paralela a 450 MHz 165-FBGA (15x17)

SRAM Chip Sync Dual 1.8V 144M-Bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray

SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM

Inquiry Cart 0