Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

Sanhuang Electronics (Hong Kong) Co., Limited

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MT29F2G08ABEAAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

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MT29F2G08ABEAAH4-IT:E IC FLASH 2GBIT PARALELO 63VFBGA Micron Technology Inc.

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Número do modelo :MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
Quantidade mínima de encomenda :1
Condições de pagamento :T/T
Capacidade de abastecimento :Em existência
Tempo de entrega :3-5 dias úteis
Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão
Tipo da memória :Permanente
Formato da memória :FLASH
Tecnologia :FLASH - NAND
Tamanho de memória :2Gbit
Organização da memória :256M x 8
Relação da memória :Paralelo
Frequência de pulso de disparo :-
Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-
Tempo de acesso :-
Voltagem - Fornecimento :2.7V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem :Montagem de superfície
Embalagem / Caixa :63-VFBGA
Pacote de dispositivos do fornecedor :63-VFBGA (9x11)
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Detalhes do produto

Descrição geral

Os dispositivos Micron NAND Flash incluem uma interface de dados assíncrona para operações de E/S de alto desempenho.Existem cinco sinais de controle utilizados para implementar a interface de dados asyn chronous: CE#, CLE, ALE, WE# e RE#. Sinais adicionais controlam a proteção de gravação do hardware (WP#) e monitoram o estado do dispositivo (R/B#).

Características

• Open NAND Flash Interface (ONFI) compatível com 2.2
• Tecnologia de células de níveis múltiplos (MLC)
• Organização
️ Tamanho da página x8: 8640 bytes (8192 + 448 bytes)
️ Tamanho do bloco: 256 páginas (2048K + 112K bytes)
Tamanho do avião: 2 aviões x 2048 blocos por avião
¢ Tamanho do dispositivo: 64 GB: 4096 blocos;
128 GB: 8192 blocos;
256 GB: 16.384 blocos;
512Gb: 32.786 blocos
• Eficiência de E/S síncrona
¢ Até ao modo de sincronização 5
Rate clock: 10ns (DDR)
¢ Densidade de leitura/gravação por pin: 200 MT/s
• Eficiência de E/S assíncrona
¢ Até ao modo de sincronização assíncrona 5
- Não.
TRC/tWC: 20ns (MIN)
• Desempenho da matriz
¢ Leitura da página: 50μs (MAX)
Página do programa: 1300 μs (TYP)
Bloqueio de apagamento: 3 ms (TYP)
• Faixa de tensão de funcionamento
VCC: 2,7V3,6V
VCCQ: 1,7V1,95V, 2,7V3,6V
• Conjunto de comandos: Protocolo ONFI NAND Flash
• Conjunto de comandos avançados
¢ Cache do programa
¢ Ler cache sequencial
Leia cache aleatório
¢ Modo de programação única (OTP)
¢ Comandos de vários planos
¢ Operações multi-LUN
¢ Identificador único de leitura
️ Copiaback
• O primeiro bloco (endereço de bloco 00h) é válido quando enviado
Para o ECC mínimo exigido, ver
Gestão de erros (página 109).
• RESET (FFh) exigido como primeiro comando após a alimentação
em
• O byte de estado de operação fornece um método de software para
detecção
¢ Conclusão da operação
Condição de aprovação/reprovamento
¢ Estado de proteção de gravação
• Os sinais DQS fornecem um método de hardware
para a sincronização de dados DQ na rede síncrona
interface
• Operações de copiamento suportadas dentro do avião
do qual são lidos os dados
• Qualidade e fiabilidade
¢ Conservação dos dados: 10 anos
Duração: 5000 ciclos de programação/apagamento
• Temperatura de funcionamento:
️ Comercial: 0°C a +70°C
Indústria (IT): de 40°C a +85°C
• Pacote
LGA de 52 almofadas
¢ TSOP de 48 pinos
- 100 bolas BGA.

Especificações

Atributo Atributo Valor
Fabricante Micron Technology Inc.
Categoria de produtos IC de memória
Categoria Memória
Fabricante Micron Technology Inc.
Série -
Embalagem Caixa
Estatuto da parte Atividade
Tipo de memória Não voláteis
Formato de memória Flash
Tecnologia Flash - NAND
Tamanho da memória 2Gb (256M x 8)
Escrever-Ciclo-Tempo-Word-Page -
Interface de memória Paralelo
Fornecimento de tensão 2.7 V ~ 3.6 V
Temperatura de funcionamento -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montagem Montagem de superfície
Embalagem 63-VFBGA
Embalagem do produto do fornecedor O número de veículos aéreos deve ser igual ou superior a:
Número de partes de base MT2F2G08

Descrições

Flash - IC de memória NAND 2 GB (256M x 8) paralelo 63-VFBGA (9x11)
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 2G-bit 256M x 8 63-Pin VFBGA Tray
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