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Shenzhen Sanhuang Electronics Co.,Ltd.

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Cidade:shenzhen

País / Região:china

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IS42S16160J-7BLI IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA ISSI, Solução Integrada de Silício Inc.

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Número do modelo :IS42S16160J-7BLI

Quantidade mínima de encomenda :1

Condições de pagamento :T/T

Capacidade de abastecimento :Em existência

Tempo de entrega :3-5 dias úteis

Detalhes da embalagem :Saco antiestático e caixa de papelão

Tipo da memória :Temporário

Formato da memória :GOLE

Tecnologia :SDRAM

Tamanho de memória :256Mbit

Organização da memória :16M x 16

Relação da memória :Paralelo

Frequência de pulso de disparo :143 megahertz

Escreva o tempo de ciclo - palavra, página :-

Tempo de acesso :5,4 ns

Voltagem - Fornecimento :3 V ~ 3,6 V

Temperatura de funcionamento :-40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montagem :Montagem de superfície

Embalagem / Caixa :54-TFBGA

Pacote de dispositivos do fornecedor :54-TFBGA (8x8)

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Detalhes do produto

DESCRIPÇÃO ISSI 16Mb DRAM síncrona IS42S16100 é organizada como um banco de 524.288 palavras x 16 bits x 2 para melhorar o desempenho.As DRAMs síncronas conseguem transferência de dados de alta velocidade usando arquitetura de pipeline. Todos os sinais de entrada e saída referem-se à borda ascendente da entrada do relógio.

Características

• Frequência do relógio: 166, 143, 100 MHz
• Totalmente sincronizado; todos os sinais referenciados a uma ponta positiva do relógio
• Dois bancos podem funcionar simultaneamente e de forma independente
• Banco interno duplo controlado por A11 (banco selecionado)
• Fornecimento de energia único de 3,3 V
• Interface LVTTL
• comprimento de rajada programável (1, 2, 4, 8, página completa)
• Sequência de explosão programável: Sequencial/Interleave
• Auto atualização, auto atualização
• 4096 ciclos de atualização a cada 128 ms
• Endereço de coluna aleatório a cada ciclo de relógio
• Latência CAS programável (2, 3 horas)
• Capacidade de leitura/escritura em tempo real e de leitura/escritura em tempo real
• Terminação da explosão por comando de parada da explosão e pré-carga
• Byte controlado por LDQM e UDQM
• Embalagem 400 milímetros e 50 pinos TSOP II

Especificações

Atributo	Atributo Valor
Fabricante	ISSI
Categoria de produtos	IC de memória
Série	-
Embalagem	Embalagens alternativas de bandeja
Embalagem	54-TFBGA
Temperatura de funcionamento	-40°C ~ 85°C (TA)
Interface	Paralelo
Fornecimento de tensão	3 V ~ 3,6 V
Embalagem do produto do fornecedor	54-TFBGA (8x8)
Capacidade de memória	256M (16M x 16)
Tipo de memória	SDRAM
Velocidade	143 MHz
Memória de formato	Memória RAM

Descrições

Memória SDRAM IC 256Mb (16M x 16) Paralela 143MHz 5.4ns 54-TFBGA (8x8)

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 16Mx16 3.3V 54-Pin TFBGA

DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 bolas BGA (8mmx8mm) RoHS, IT

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